PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESSES FOR DEPOSITING PASSIVATION FILMS ON MICROELECTRONIC STRUCTURES

A method to produce the microelectronic and display devices (e.g., micro-LEDs) which are coated with a passivation film is provided. In this method, a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PE-CVD) process is provided and includes maintaining a flow of a deposition gas while pulsing an RF power between on and an off positions while simultaneously depositing a passivation film (120) on sidewall and top surfaces of a micro-LED structure or other display devices. The passivation film (120) contains silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, or a combination thereof. The passivation film (120) has a step coverage of greater than 70% or greater than 80%, such that the step coverage is a ratio of an average thickness of a sidewall portion (122) of the passivation film (120) to an average thickness of a top portion (124) of the passivation film (120). L'invention concerne un procédé de production des dispositifs micro-électroniques et d'affichage (par exemple, des micro-DEL) qui sont revêtus d'un film de passivation. Dans ce procédé, un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PE-CVD) est prévu et comprend le maintien d'un écoulement d'un gaz de dépôt tout en envoyant une impulsion d'une puissance RF entre des positions marche et arrêt tout en déposant simultanément un film de passivation (120) sur les surfaces latérales et supérieures d'une structure de micro-DEL ou d'autres dispositifs d'affichage. Le film de passivation (120) contient de l'oxyde de silicium, du nitrure de silicium, de l'oxynitrure de silicium ou une combinaison de ceux-ci. Le film de passivation (120) a une couverture de pas supérieure à 70 % ou supérieure à 80 %, de telle sorte que la couverture de pas est un rapport d'une épaisseur moyenne d'une partie de paroi latérale (122) du film de passivation (120) sur une épaisseur moyenne d'une partie supérieure (124) du film de passivation (120).