METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE PACKAGE, SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE PACKAGE MANUFACTURED THEREBY, AND DISPLAY DEVICE COMPRISING SAME

Embodiments relate to a method for manufacturing a semiconductor light-emitting device package, a semiconductor light-emitting device package manufactured by the method, and a display device comprising same. The semiconductor light-emitting device package according to an embodiment may comprise: a f...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: PARK, Joodo, SONG, Hooyoung, CHOI, Myungshin
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:Embodiments relate to a method for manufacturing a semiconductor light-emitting device package, a semiconductor light-emitting device package manufactured by the method, and a display device comprising same. The semiconductor light-emitting device package according to an embodiment may comprise: a first semiconductor layer on a growth substrate; a tether layer on the first semiconductor layer; a light-emitting structure on the tether layer; a light-transmissive electrode layer on the light-emitting structure; and a post structure on the light-transmissive electrode layer. Des modes de réalisation de la présente invention concernent un procédé de fabrication d'un boîtier de dispositif électroluminescent à semi-conducteur, un boîtier de dispositif électroluminescent à semi-conducteur fabriqué par le procédé, et un dispositif d'affichage le comprenant. Le boîtier de dispositif électroluminescent à semi-conducteur selon un mode de réalisation peut comprendre : une première couche semi-conductrice sur un substrat de croissance ; une couche d'attache sur la première couche semi-conductrice ; une structure électroluminescente sur la couche d'attache ; une couche d'électrode transmettant la lumière sur la structure électroluminescente ; et une structure de montant sur la couche d'électrode transmettant la lumière. 실시예는 반도체 발광소자 패키지의 제조방법, 그 방법에 의해 제조된 반도체 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 디스플레이 장치에 관한 것이다. 실시예에 따른 반도체 발광소자 패키지는, 성장 기판 상에 제1 반도체층과, 상기 제1 반도체층 상에 테더층(tether layer)과, 상기 테더층 상에 발광구조물과, 상기 발광구조물 상에 투광성 전극층 및 상기 투광성 전극층 상에 포스트 구조(post structure)를 포함할 수 있다.