SEMICONDUCTOR DEVICE

This semiconductor device is provided with a memory element writing unit (10) having: a memory element (1) which can be electrically written one time only and stores a binary value; a writing control section (2) which is connected to the memory element (1) via a first node signal (N1) and performs writing into the memory element (1) on the basis of a write control signal (CT1) instructing writing into the memory element (1); and a write-state detection circuit (5) which is capable of detecting the state that the memory element (1) is already written from a measurement signal obtained by measuring the first node signal (N1). If a detection signal indicating the already-written state of the memory element (1) is received from the write-state detection circuit (5) after the writing into the memory element (1) is started, the writing control section (2) stops the writing operation when a given period of time has elapsed after the detection of the already-written state of the memory element (1). Ce dispositif à semi-conducteur comprend une unité d'écriture d'élément de mémoire (10) comportant : un élément de mémoire (1) qui peut être électriquement écrit une seule fois et stocke une valeur binaire ; une section de commande d'écriture (2) qui est connectée à l'élément de mémoire (1) par l'intermédiaire d'un premier signal de nœud (N1) et réalise une écriture dans l'élément de mémoire (1) sur la base d'un signal de commande d'écriture (CT1) ordonnant l'écriture dans l'élément de mémoire (1) ; et un circuit de détection d'état d'écriture (5) qui est capable de détecter l'état selon lequel l'élément de mémoire (1) est déjà écrit à partir d'un signal de mesure obtenu par mesure du premier signal de nœud (N1). Si un signal de détection indiquant l'état déjà écrit de l'élément de mémoire (1) est reçu en provenance du circuit de détection d'état d'écriture (5) après le démarrage de l'écriture dans l'élément de mémoire (1), la section de commande d'écriture (2) arrête l'opération d'écriture lorsqu'une période de temps donnée s'est écoulée après la détection de l'état déjà écrit de l'élément de mémoire (1). 半導体装置は、電気的に１回限りの書き込みが可能に構成され、２値を記憶する記憶素子（１）と、第１ノード信号（Ｎ１）を介して記憶素子（１）に接続され、記憶素子（１）への書き込みを指示する書き込み制御信号（ＣＴ１）に基づいて記憶素子（１）への書き込みをする書き込み制御部（２）と、第１ノード信号（Ｎ１）を測定して得られた測定信号から記憶素子（１）が書き込み状態であることを検知する書き込み状態検知回路（５）とを有する記憶素子書き込みユニット（１０）を備える。書き込み制御部（２）は、記憶素子（１）への書き込みを開始した後に、書き込み状態検知回路（５）から記憶素子（１）が書き込み状態であることを示す検知信号を受けた場合に、記憶素子（１）が書き込み状態であることが検知されてから一定期間の経過後に書き込み動作を停止する。