DEVICE, SYSTEM AND METHOD FOR PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung (1), ein System (50) und ein Verfahren (100) zur plasmaunterstützten chemischen Gasphasenabscheidung. Dabei ist eine Prozesskammer (2) zur Aufnahme wenigstens eines Werkstückträgers (30) eingerichtet. Erfindungsgemäß ist die Vorrichtung (1) dazu ei...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	FUCHS, Jens-Uwe, TRÖLLER, Mirko, LEICHTLE, Roland, REIZE, Ralf
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SEMICONDUCTOR DEVICES SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung (1), ein System (50) und ein Verfahren (100) zur plasmaunterstützten chemischen Gasphasenabscheidung. Dabei ist eine Prozesskammer (2) zur Aufnahme wenigstens eines Werkstückträgers (30) eingerichtet. Erfindungsgemäß ist die Vorrichtung (1) dazu eingerichtet, die Prozesskammer (2) mithilfe wenigstens eines von der Prozesskammer (2) aufnehmbaren Werkstückträgers (30) zu beheizen. The present invention relates to a device (1), a system (50) and a method (100) for plasma-enhanced chemical vapor deposition. A process chamber (2) is configured to receive at least one workpiece carrier (30). According to the invention, the device (1) is configured to heat the process chamber (2) with the aid of at least one workpiece carrier (30) that can be received by the process chamber (2). L'invention concerne un dispositif (1), un système (50) et un procédé (100) de séparation chimique de phases gazeuses assistée par plasma. A cet effet, une chambre de traitement (2) est conçue pour recevoir au moins un porte-pièce (30). Selon l'invention, le dispositif (1) est conçu pour chauffer la chambre de traitement (2) à l'aide d'au moins un porte-pièce (30) pouvant être reçu par la chambre de traitement (2).