WIRING BOARD AND METHOD FOR PRODUCING WIRING BOARD
This wiring board (1) comprises a substrate (10), at least one main surface (10a) of which is provided with an electrode (20) that is mainly composed of Cu or Ag. The electrode (20) protrudes from the substrate (10); the surface of the electrode (20) is covered with a first Ni film (30) that is main...
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Hauptverfasser: | , |
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre ; jpn |
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Zusammenfassung: | This wiring board (1) comprises a substrate (10), at least one main surface (10a) of which is provided with an electrode (20) that is mainly composed of Cu or Ag. The electrode (20) protrudes from the substrate (10); the surface of the electrode (20) is covered with a first Ni film (30) that is mainly composed of crystalline Ni; the surface of the first Ni film (30) is covered with a second Ni film (40) that is mainly composed of amorphous Ni; and the first Ni film (30) covers a first corner part (C1) in which a lateral surface (20b) of the electrode (20) is in contact with the substrate (10).
La présente invention concerne un tableau de connexions (1) qui comprend un substrat (10), dont au moins une surface principale (10a) est pourvue d'une électrode (20) qui est principalement composée de Cu ou d'Ag. L'électrode (20) fait saillie à partir du substrat (10) ; la surface de l'électrode (20) est recouverte d'un premier film de Ni (30) qui est principalement composé de Ni cristallin ; la surface du premier film de Ni (30) est recouverte d'un deuxième film de Ni (40) qui est principalement composé de Ni amorphe ; et le premier film de Ni (30) recouvre une première partie d'angle (C1) dans laquelle une surface latérale (20b) de l'électrode (20) est en contact avec le substrat (10).
配線基板(1)は、基板(10)の少なくとも一方の主面(10a)にCuまたはAgを主成分とする電極(20)が配置された配線基板(1)であって、上記電極(20)は上記基板(10)から突出しており、上記電極(20)の表面は、結晶質Niを主成分とする第1のNi膜(30)に覆われており、上記第1のNi膜(30)の表面は、非晶質Niを主成分とする第2のNi膜(40)に覆われており、上記第1のNi膜(30)は、上記電極(20)の側面(20b)が上記基板(10)と接する第1の隅部(C1)を覆っている。 |
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