MEMS DEVICE WITH INTEGRATED CMOS CIRCUIT
A method of manufacturing a MEMS device, the MEMS device comprising a movable Micro-Electro-Mechanical piezoelectric component and a CMOS circuit configured to be in conductive communication with the Micro-Electro-Mechanical component. A plurality of CMOS circuit layers are formed on a substrate to...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | A method of manufacturing a MEMS device, the MEMS device comprising a movable Micro-Electro-Mechanical piezoelectric component and a CMOS circuit configured to be in conductive communication with the Micro-Electro-Mechanical component. A plurality of CMOS circuit layers are formed on a substrate to form the CMOS circuit, the plurality of CMOS circuit layers comprising a plurality of CMOS passivation and metallisation layers. A portion of at least one of the plurality of CMOS passivation and metallisation layers is removed in a component region of the device. One or more component region layers are formed in place of the removed portion in the component region to form the movable Micro-Electro-Mechanical piezoelectric component. The one or more component region layers are different from the portion of the at least one of the plurality of CMOS passivation and metallisation layers.
L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un dispositif MEMS, le dispositif MEMS comprenant un composant piézoélectrique micro-électromécanique mobile et un circuit CMOS configuré pour être en communication conductrice avec le composant micro-électromécanique. Une pluralité de couches de circuit CMOS sont formées sur un substrat pour former le circuit CMOS, la pluralité de couches de circuit CMOS comprenant une pluralité de couches de passivation et de métallisation CMOS. Une portion d'au moins l'une de la pluralité de couches de passivation et de métallisation CMOS est enlevée dans une région de composant du dispositif. Une ou plusieurs couches de région de composant sont formées à la place de la portion enlevée dans la région de composant pour former le composant piézoélectrique micro-électromécanique mobile. Lesdites couches de région de composant sont différentes de la portion de l'au moins une des couches de la pluralité de couches de passivation et de métallisation CMOS. |
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