TRANSFER DEVICE FOR SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND DISPLAY DEVICE OF SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE USING SAME

An embodiment relates to a transfer device for a semiconductor light-emitting device, and a display device of a semiconductor light-emitting device, using same. The transfer device for a semiconductor light-emitting device, according to the embodiment, may comprise a line beam laser generator and a penetrating-type glass mask arranged on a semiconductor substrate including a predetermined semiconductor light-emitting device. A line beam laser (210) generated from the line beam laser generator may penetrate the penetrating-type glass mask so that the semiconductor light-emitting device on the semiconductor substrate can be selectively transferred onto a predetermined panel substrate. Un mode de réalisation selon la présente invention concerne un dispositif de transfert pour un dispositif électroluminescent à semi-conducteur, et un dispositif d'affichage d'un dispositif électroluminescent à semi-conducteur l'utilisant. Le dispositif de transfert pour un dispositif électroluminescent à semi-conducteur, selon le mode de réalisation, peut comprendre un générateur laser à faisceau linéaire et un masque en verre de type pénétration disposés sur un substrat semi-conducteur comprenant un dispositif électroluminescent à semi-conducteur prédéterminé. Un laser à faisceau linéaire (210) généré à partir du générateur laser à faisceau linéaire peut pénétrer dans le masque de verre de type pénétrant de telle sorte que le dispositif électroluminescent à semi-conducteur sur le substrat semi-conducteur peut être transféré de manière sélective sur un substrat de panneau prédéterminé. 실시예는 반도체 발광소자의 전사장치 및 이를 이용한 반도체 발광소자의 디스플레이 장치에 관한 것이다. 실시예에 따른 반도체 발광소자의 전사장치는, 라인 빔 레이저 발생장치와 소정의 반도체 발광소자를 포함하는 반도체 기판 상에 배치되는 관통형 글라스 마스크를 포함할 수 있다. 상기 라인 빔 레이저 발생장치에서 발생된 라인 빔 레이저(210)을 상기 관통형 글라스 마스크를 관통시켜 상기 반도체 기판 상의 반도체 발광소자를 소정의 패널 기판 상에 선택적으로 전사할 수 있다.