COMPOSITION, ITS USE AND A PROCESS FOR SELECTIVELY ETCHING SILICON-GERMANIUM MATERIAL

A composition for selectively etching a layer comprising a silicon germanium alloy (SiGe) in the presence of a a layer comprising silicon, the composition comprising: (a) 5 to 15 % by weight of an oxidizing agent; (b) 5 to 20 % by weight of an etchant comprising a source of fluoride ions; (c) 0.001 to 3 % by weight of a first selectivity enhancer of formula S1(S1) and (d) water, wherein RS1 is selected from XS-OH and YS-(CO)-OHRS2 is selected from (i) RS1, (ii) H, (iii) C1 to C10 alkyl, (iv) C1 to C10 alkenyl, (v) C1 to C10 alkynyl, and (vi) -XS-(O-C2H3RS6)m-ORS6; RS6 is selected from H and C1 to C6 alkyl; XS is selected from a linear or branched C1 to C10 alkanediyl, a linear or branched C2 to C10 alkenediyl, linear or branched C2 to C10 alkynediyl, and -XS1-(O-C2H3R6)m-; YS1 is selected from a chemical bond and X; XS2 is a C1 to C6 alkanediyl;m is an integer of from 1 to 10. Composition pour graver sélectivement une couche comprenant un alliage de silicium-germanium (SiGe) en présence d'une couche comprenant du silicium, la composition comprenant : (a) de 5 à 15 % en poids d'un agent oxydant ; (b) de 5 à 20 % en poids d'un agent de gravure comprenant une source d'ions fluorure ; (c) de 0,001 à 3 % en poids d'un premier amplificateur de sélectivité de formule S1(S1) et (d) de l'eau ; RS1 est sélectionné parmi XS-OH et YS-(CO)-OHRS2 est sélectionné parmi (i) RS1, (ii) H, (iii) alkyle en C1 à C10, (iv) alcényle en C1 à C10, (v) alcynyle en C1 à C10 , et (vi) -XS-(O-C2H3RS6)m-ORS6 ; RS6 est sélectionné parmi H et alkyle en C1 à C6 ; XS est sélectionné parmi un alcanediyle linéaire ou ramifié en C1 à C10, un alcanediyle linéaire ou ramifié en C2 à C10 , un alcanediyle linéaire ou ramifié en C2 à C10, et -XS1-(O-C2H3R6)m- ; YS1 est sélectionné parmi une liaison chimique et X ; XS2 est un alcanediyle en C1 à C6 ; m est un entier de 1 à 10.