COMPOSITION, ITS USE AND A PROCESS FOR REMOVING POST-ETCH RESIDUES

The present invention relates to a composition for removing post-etch residues in the presence of a layer comprising silicon and a dielectric layer comprising a silicon oxide, the composition comprising:(a) 0.005 to 0.3 % by weight HF;(b) 0.01 to 1 % by weight of an ammonium fluoride of formula NRE 4F, wherein RE is H or a C1 to C4 alkyl group; (c) 5 to 30 % by weight of an organic solvent selected from a sulfoxide and a sulfone; (d) 70 % by weight or more water, and(e) optionally 0.01 to 1 % by weight of an ammonium compound selected from ammonia and a C4 to C20 quaternized aliphatic ammonium. La présente invention concerne une composition pour éliminer des résidus post-gravure en présence d'une couche comprenant du silicium et d'une couche diélectrique comprenant un oxyde de silicium, la composition comprenant : (a) de 0,005 à 0,3 % en poids de HF ; (b) de 0,01 à 1 % en poids d'un fluorure d'ammonium de formule NRE 4F, RE étant du H ou un groupe alkyle en C1 à C4 ; (c) de 5 à 30 % en poids d'un solvant organique choisi parmi un sulfoxyde et une sulfone ; (d) 70 % en poids ou plus d'eau, et (e) éventuellement de 0,01 à 1 % en poids d'un composé d'ammonium choisi parmi l'ammoniac et un ammonium aliphatique quaternisé en C4 à C20.