PHOTONIC DEBONDING FOR WAFER-LEVEL PACKAGING APPLICATIONS

A method is described for debonding a carrier and device substrate using a high-intensity, pulsed, broadband light system that is suitable for wafer-level packaging applications. The carrier substrate is a transparent wafer with a light absorbing layer on one side of the wafer. This method utilizes the high intensity light to rapidly heat up the light absorbing layer to decompose or melt a bonding material layer that is adjacent to the light absorbing layer. After exposure to light, the carrier substrate can be lifted off the surface of the device wafer with little or no force. L'invention concerne un procédé pour décoller un support et un substrat de dispositif à l'aide d'un système de lumière à large bande, pulsé à haute intensité qui est approprié pour des applications d'encapsulation au niveau de la tranche. Le substrat de support est une tranche transparente avec une couche d'absorption de lumière sur un côté de la tranche. Ce procédé utilise la lumière à haute intensité pour chauffer rapidement la couche d'absorption de lumière pour décomposer ou faire fondre une couche de matériau de liaison qui est adjacente à la couche d'absorption de lumière. Après exposition à la lumière, le substrat de support peut être soulevé de la surface de la tranche de dispositif avec peu ou pas de force.