METHOD FOR GROWING A SEMICONDUCTOR ASSEMBLY AND SEMICONDUCTOR ASSEMBLY

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Wachsen einer Halbleiteranordnung, wobei das Verfahren das Bereitstellen eines Siliciumsubstrats sowie das Wachsen zweier Metallnitridschichten aufweist, wobei die Metallnitridschichten jeweils mittels eines Metalltargets und eines Plasmas gewachsen werden. F...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	DADGAR, Armin, HÖRICH, Florian
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; ger
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SEMICONDUCTOR DEVICES SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
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