METHOD FOR GROWING A SEMICONDUCTOR ASSEMBLY AND SEMICONDUCTOR ASSEMBLY

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Wachsen einer Halbleiteranordnung, wobei das Verfahren das Bereitstellen eines Siliciumsubstrats sowie das Wachsen zweier Metallnitridschichten aufweist, wobei die Metallnitridschichten jeweils mittels eines Metalltargets und eines Plasmas gewachsen werden. F...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	DADGAR, Armin, HÖRICH, Florian
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; ger
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SEMICONDUCTOR DEVICES SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Wachsen einer Halbleiteranordnung, wobei das Verfahren das Bereitstellen eines Siliciumsubstrats sowie das Wachsen zweier Metallnitridschichten aufweist, wobei die Metallnitridschichten jeweils mittels eines Metalltargets und eines Plasmas gewachsen werden. Für die zweite Metallnitridschicht wird dabei ein höherer Wasserstoffanteil verwendet. Dies erlaubt eine bessere Kristallqualität als bei bekannten Verfahren. Die Erfindung betrifft des Weiteren eine entsprechend hergestellte Halbleiteranordnung. The invention relates to a method for growing a semiconductor assembly, the method comprising the steps of providing a silicon substrate and growing two metal nitride layers, each metal nitride layer being grown by means of a metal target and a plasma. For the second metal nitride layer a higher hydrogen content is used, allowing for better crystal quality than in known methods. The invention further relates to a semiconductor assembly that is produced accordingly. L'invention concerne un procédé de croissance d'un ensemble semi-conducteur, le procédé comprenant les étapes consistant à fournir un substrat de silicium et à faire croître deux couches de nitrure métallique, chaque couche de nitrure métallique étant développée au moyen d'une cible métallique et d'un plasma. Pour la seconde couche de nitrure métallique, une teneur en hydrogène supérieure est utilisée, ce qui permet une meilleure qualité des cristaux que dans les procédés connus. L'invention concerne en outre un ensemble semi-conducteur qui est produit en conséquence.