METHOD OF DEPOSITING A PRE-ETCH PROTECTIVE LAYER
A method of cyclic etching, comprising: (A) depositing, prior to cyclically etching a substrate (100) through a mask (104) opening (108), a pre-etch protection layer (120) conformally over a mask(104), sidewalls(116) of the mask (104) defining the mask opening (108); and an exposed portion of the su...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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container_issue | |
container_start_page | |
container_title | |
container_volume | |
creator | GRANADOS, Alfredo WANG, Heng REN, Rui Zhe YANG, Jiao WANG, Zhi Gang FARR, Jon C |
description | A method of cyclic etching, comprising: (A) depositing, prior to cyclically etching a substrate (100) through a mask (104) opening (108), a pre-etch protection layer (120) conformally over a mask(104), sidewalls(116) of the mask (104) defining the mask opening (108); and an exposed portion of the substrate (100) exposed through the mask opening (108), the pre-etch protection layer (120) deposited to a first thickness; and (B) cyclically etching the substrate (100) by: (i) depositing a protection layer (132) in the opening (108) of the mask (104), the protection layer (132) deposited to a second thickness that is less than half of the first thickness; (ii) etching through a portion of the protection layer (132) disposed on the substrate (100) and etching the substrate (100); and (iii) repeating (i) and (ii) until an end point is reached.
Procédé de gravure cyclique, consistant à : (A) déposer, avant la gravure cyclique d'un substrat (100) à travers une ouverture (108) de masque (104), une couche protectrice de pré-gravure (120) de manière conforme sur un masque (104), des parois latérales (116) du masque (104) définissant l'ouverture de masque (108); et une partie exposée du substrat (100) étant exposée à travers l'ouverture de masque (108), la couche protectrice de pré-gravure (120) étant déposée sur une première épaisseur; et (B) graver cycliquement le substrat (100) : (i) en déposant une couche protectrice (132) dans l'ouverture (108) du masque (104), la couche protectrice (132) étant déposée sur une seconde épaisseur qui est inférieure à la moitié de la première épaisseur; (ii) en gravant à travers une partie de la couche protectrice (132) placée sur le substrat (100) et en gravant le substrat (100); et (iii) en répétant (i) et (ii) jusqu'à ce qu'un point d'extrémité soit atteint. |
format | Patent |
fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_WO2022036549A8</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>WO2022036549A8</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_WO2022036549A83</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZDDwdQ3x8HdR8HdTcHEN8A_2DPH0c1dwVAgIctV1DXH2ADL8Q1ydQzzDXBV8HCNdg3gYWNMSc4pTeaE0N4OyG0ihbmpBfnxqcUFicmpeakl8uL-RgZGRgbGZqYmlo4UxcaoAs7snHg</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>METHOD OF DEPOSITING A PRE-ETCH PROTECTIVE LAYER</title><source>esp@cenet</source><creator>GRANADOS, Alfredo ; WANG, Heng ; REN, Rui Zhe ; YANG, Jiao ; WANG, Zhi Gang ; FARR, Jon C</creator><creatorcontrib>GRANADOS, Alfredo ; WANG, Heng ; REN, Rui Zhe ; YANG, Jiao ; WANG, Zhi Gang ; FARR, Jon C</creatorcontrib><description>A method of cyclic etching, comprising: (A) depositing, prior to cyclically etching a substrate (100) through a mask (104) opening (108), a pre-etch protection layer (120) conformally over a mask(104), sidewalls(116) of the mask (104) defining the mask opening (108); and an exposed portion of the substrate (100) exposed through the mask opening (108), the pre-etch protection layer (120) deposited to a first thickness; and (B) cyclically etching the substrate (100) by: (i) depositing a protection layer (132) in the opening (108) of the mask (104), the protection layer (132) deposited to a second thickness that is less than half of the first thickness; (ii) etching through a portion of the protection layer (132) disposed on the substrate (100) and etching the substrate (100); and (iii) repeating (i) and (ii) until an end point is reached.
Procédé de gravure cyclique, consistant à : (A) déposer, avant la gravure cyclique d'un substrat (100) à travers une ouverture (108) de masque (104), une couche protectrice de pré-gravure (120) de manière conforme sur un masque (104), des parois latérales (116) du masque (104) définissant l'ouverture de masque (108); et une partie exposée du substrat (100) étant exposée à travers l'ouverture de masque (108), la couche protectrice de pré-gravure (120) étant déposée sur une première épaisseur; et (B) graver cycliquement le substrat (100) : (i) en déposant une couche protectrice (132) dans l'ouverture (108) du masque (104), la couche protectrice (132) étant déposée sur une seconde épaisseur qui est inférieure à la moitié de la première épaisseur; (ii) en gravant à travers une partie de la couche protectrice (132) placée sur le substrat (100) et en gravant le substrat (100); et (iii) en répétant (i) et (ii) jusqu'à ce qu'un point d'extrémité soit atteint.</description><language>eng ; fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2023</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20230511&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2022036549A8$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76419</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20230511&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2022036549A8$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>GRANADOS, Alfredo</creatorcontrib><creatorcontrib>WANG, Heng</creatorcontrib><creatorcontrib>REN, Rui Zhe</creatorcontrib><creatorcontrib>YANG, Jiao</creatorcontrib><creatorcontrib>WANG, Zhi Gang</creatorcontrib><creatorcontrib>FARR, Jon C</creatorcontrib><title>METHOD OF DEPOSITING A PRE-ETCH PROTECTIVE LAYER</title><description>A method of cyclic etching, comprising: (A) depositing, prior to cyclically etching a substrate (100) through a mask (104) opening (108), a pre-etch protection layer (120) conformally over a mask(104), sidewalls(116) of the mask (104) defining the mask opening (108); and an exposed portion of the substrate (100) exposed through the mask opening (108), the pre-etch protection layer (120) deposited to a first thickness; and (B) cyclically etching the substrate (100) by: (i) depositing a protection layer (132) in the opening (108) of the mask (104), the protection layer (132) deposited to a second thickness that is less than half of the first thickness; (ii) etching through a portion of the protection layer (132) disposed on the substrate (100) and etching the substrate (100); and (iii) repeating (i) and (ii) until an end point is reached.
Procédé de gravure cyclique, consistant à : (A) déposer, avant la gravure cyclique d'un substrat (100) à travers une ouverture (108) de masque (104), une couche protectrice de pré-gravure (120) de manière conforme sur un masque (104), des parois latérales (116) du masque (104) définissant l'ouverture de masque (108); et une partie exposée du substrat (100) étant exposée à travers l'ouverture de masque (108), la couche protectrice de pré-gravure (120) étant déposée sur une première épaisseur; et (B) graver cycliquement le substrat (100) : (i) en déposant une couche protectrice (132) dans l'ouverture (108) du masque (104), la couche protectrice (132) étant déposée sur une seconde épaisseur qui est inférieure à la moitié de la première épaisseur; (ii) en gravant à travers une partie de la couche protectrice (132) placée sur le substrat (100) et en gravant le substrat (100); et (iii) en répétant (i) et (ii) jusqu'à ce qu'un point d'extrémité soit atteint.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2023</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZDDwdQ3x8HdR8HdTcHEN8A_2DPH0c1dwVAgIctV1DXH2ADL8Q1ydQzzDXBV8HCNdg3gYWNMSc4pTeaE0N4OyG0ihbmpBfnxqcUFicmpeakl8uL-RgZGRgbGZqYmlo4UxcaoAs7snHg</recordid><startdate>20230511</startdate><enddate>20230511</enddate><creator>GRANADOS, Alfredo</creator><creator>WANG, Heng</creator><creator>REN, Rui Zhe</creator><creator>YANG, Jiao</creator><creator>WANG, Zhi Gang</creator><creator>FARR, Jon C</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20230511</creationdate><title>METHOD OF DEPOSITING A PRE-ETCH PROTECTIVE LAYER</title><author>GRANADOS, Alfredo ; WANG, Heng ; REN, Rui Zhe ; YANG, Jiao ; WANG, Zhi Gang ; FARR, Jon C</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2022036549A83</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2023</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>GRANADOS, Alfredo</creatorcontrib><creatorcontrib>WANG, Heng</creatorcontrib><creatorcontrib>REN, Rui Zhe</creatorcontrib><creatorcontrib>YANG, Jiao</creatorcontrib><creatorcontrib>WANG, Zhi Gang</creatorcontrib><creatorcontrib>FARR, Jon C</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>GRANADOS, Alfredo</au><au>WANG, Heng</au><au>REN, Rui Zhe</au><au>YANG, Jiao</au><au>WANG, Zhi Gang</au><au>FARR, Jon C</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHOD OF DEPOSITING A PRE-ETCH PROTECTIVE LAYER</title><date>2023-05-11</date><risdate>2023</risdate><abstract>A method of cyclic etching, comprising: (A) depositing, prior to cyclically etching a substrate (100) through a mask (104) opening (108), a pre-etch protection layer (120) conformally over a mask(104), sidewalls(116) of the mask (104) defining the mask opening (108); and an exposed portion of the substrate (100) exposed through the mask opening (108), the pre-etch protection layer (120) deposited to a first thickness; and (B) cyclically etching the substrate (100) by: (i) depositing a protection layer (132) in the opening (108) of the mask (104), the protection layer (132) deposited to a second thickness that is less than half of the first thickness; (ii) etching through a portion of the protection layer (132) disposed on the substrate (100) and etching the substrate (100); and (iii) repeating (i) and (ii) until an end point is reached.
Procédé de gravure cyclique, consistant à : (A) déposer, avant la gravure cyclique d'un substrat (100) à travers une ouverture (108) de masque (104), une couche protectrice de pré-gravure (120) de manière conforme sur un masque (104), des parois latérales (116) du masque (104) définissant l'ouverture de masque (108); et une partie exposée du substrat (100) étant exposée à travers l'ouverture de masque (108), la couche protectrice de pré-gravure (120) étant déposée sur une première épaisseur; et (B) graver cycliquement le substrat (100) : (i) en déposant une couche protectrice (132) dans l'ouverture (108) du masque (104), la couche protectrice (132) étant déposée sur une seconde épaisseur qui est inférieure à la moitié de la première épaisseur; (ii) en gravant à travers une partie de la couche protectrice (132) placée sur le substrat (100) et en gravant le substrat (100); et (iii) en répétant (i) et (ii) jusqu'à ce qu'un point d'extrémité soit atteint.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
fulltext | fulltext_linktorsrc |
identifier | |
ispartof | |
issn | |
language | eng ; fre |
recordid | cdi_epo_espacenet_WO2022036549A8 |
source | esp@cenet |
subjects | BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES |
title | METHOD OF DEPOSITING A PRE-ETCH PROTECTIVE LAYER |
url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-07T22%3A17%3A44IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=GRANADOS,%20Alfredo&rft.date=2023-05-11&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EWO2022036549A8%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |