SWITCH FET BODY CURRENT MANAGEMENT DEVICES AND METHODS

Methods and devices to reduce gate induced drain leakage current in RF switch stacks are disclosed. The described devices utilize multiple discharge paths and/or less negative body bias voltages without compromising non-linear performance and power handling capability of power switches. Moreover, more compact bias voltage generation circuits with smaller footprint can be implemented as part of the disclosed devices. L'invention concerne des procédés et des dispositifs pour réduire le courant de fuite de drain induit par grille dans des empilements de commutateurs RF. Les dispositifs de l'invention utilisent de multiples trajets de décharge et/ou moins de tensions de polarisation de corps moins négatif sans compromettre les performances non linéaires et la capacité de gestion de puissance des commutateurs de puissance. De plus, des circuits de génération de tension de polarisation plus compacts avec un encombrement plus petit peuvent être mis en œuvre comme faisant partie des dispositifs de l'invention.