RESIST PATTERN FORMING METHOD AND COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM

Provided is a resist pattern forming method with which it is possible to form a fine resist pattern for which pattern collapse and development residue are suppressed. This resist pattern forming method includes: a step for coating a composition for forming a resist underlayer film on a base material containing silicon atoms in a surface layer thereof; a step for heating the coating film formed by the step for coating; a step for coating a composition for forming a resist film on the resist underlayer film formed by the step for heating; a step for exposing, to radiation, the resist film formed by the step for coating the composition for forming the resist film; and a step for developing the exposed resist film. The composition for forming the resist underlayer film has a polymer having a structural unit containing an alicyclic structure and a functional group which bonds to a silicon atom-containing group. L'invention fournit un procédé de formation de motif de réserve qui permet de former un motif de réserve minutieux dans lequel l'affaissement de motif et l'apparition de résidu de développement sont inhibés. Plus précisément, le procédé de formation de motif de réserve de l'invention comporte : une étape au cours de laquelle une composition pour formation de film de sous-couche de réserve est appliquée sur un substrat contenant des atomes de silicium au niveau d'une couche superficielle ; une étape au cours de laquelle un film de revêtement formé lors de ladite étape d'application, est chauffé ; une étape au cours de laquelle une composition pour formation de film de réserve est appliquée sur un film de sous-couche de réserve formé lors de ladite étape de chauffage ; une étape au cours de laquelle un film de réserve formé lors de ladite étape d'application de composition pour formation de film de réserve, est exposé à une radiation ; et une étape au cours de laquelle le film de réserve soumis à ladite exposition, est développé. La composition pour formation de film de sous-couche de réserve comprend : un polymère qui possède une unité structurale incluant une structure alicyclique, et un groupe fonctionnel lié à un groupe comprenant des atomes de silicium ; et un solvant. パターン倒れ及び現像残渣の発生が抑制された微細なレジストパターンを形成することができるレジストパターン形成方法を提供する。表層にケイ素原子を含む基材にレジスト下層膜形成用組成物を塗工する工程と、上記塗工工程により形成された塗膜を加熱する工程と、上記加熱工程により形成されたレジスト下層膜にレジスト膜形成用組成物を塗工する工程と、上記レジスト膜形成用組成物塗工工程により形成されたレジスト膜を放射線により露光する工程と、上記露光されたレジスト膜を現像する工程とを備え、上記レジスト下層膜形成用組成物が、脂環構造を含む構造単位及びケイ素原子含有基と結合する官能基を有する重合体と