SACRIFICIAL CAPPING LAYER FOR PASSIVATION USING PLASMA-BASED IMPLANT PROCESS

An apparatus and method of processing a workpiece is disclosed, where a sacrificial capping layer is created on a top surface of a workpiece. That workpiece is then exposed to an ion implantation process, where select species are used to passivate the workpiece. While the implant process is ongoing, radicals and excited species etch the sacrificial capping layer. This reduces the amount of etching that the workpiece experiences. In certain embodiments, the thickness of the sacrificial capping layer is selected based on the total time used for the implant process and the etch rate. The total time used for the implant process may be a function of desired dose, bias voltage, plasma power and other parameters. In some embodiments, the sacrificial capping layer is applied prior to the implant process. In other embodiments, material is added to the sacrificial capping layer during the implant process. Sont divulgués, un appareil et un procédé de traitement d'une pièce, une couche de revêtement sacrificiel étant créée sur une surface supérieure d'une pièce. Cette pièce est ensuite exposée à un processus d'implantation ionique, où des espèces sélectionnées sont utilisées pour passiver la pièce. Pendant que le processus d'implantation est en cours, les radicaux et les espèces excitées gravent la couche de revêtement sacrificiel. Ceci réduit la quantité de gravure que subit la pièce. Dans certains modes de réalisation, l'épaisseur de la couche de revêtement sacrificiel est sélectionnée sur la base du temps total utilisé lors du processus d'implant et du taux de gravure. Le temps total utilisé lors du processus d'implantation peut être une fonction de la dose souhaitée, de la tension de polarisation, de la puissance du plasma et d'autres paramètres. Dans certains modes de réalisation, la couche de revêtement sacrificiel est appliquée avant le processus d'implantation. Dans d'autres modes de réalisation, un matériau est ajouté à la couche de revêtement sacrificiel pendant le processus d'implantation.