ETCHING METHOD AND ETCHING APPARATUS

This etching method comprises a preparation step and a removal step. In the preparation step, a substrate which comprises a first film, a second film that is superposed on the first film and a hard mask that is superposed on the second film, wherein the second film is etched until the first film is exposed therefrom using, as an etching mask, the hard mask that has been patterned, is prepared. In the removal step, the hard mask is removed with use of a fluorine-containing gas. Meanwhile, the removal step is carried out for a time duration that is longer than the first time duration from the start of the supply of the fluorine-containing gas to the start of the etching of the hard mask, but shorter than the second time duration from the start of the supply of the fluorine-containing gas to the start of the etching of the first film. Procédé de gravure comprenant une étape de préparation et une étape de retrait. Lors de l'étape de préparation, un substrat qui comprend un premier film, un second film qui est superposé sur le premier film et un masque dur qui est superposé sur le second film, le second film étant gravé jusqu'à ce que le premier film soit exposé à partir de celui-ci à l'aide, en tant que masque de gravure, du masque dur qui a été modelé, est préparé. Lors de l'étape de retrait, le masque dur est retiré à l'aide d'un gaz contenant du fluor. Pendant ce temps, l'étape de retrait est réalisée pendant une durée qui est plus longue que la première durée allant du début de l'apport en gaz contenant du fluor au début de la gravure du masque dur, mais plus courte que la seconde durée allant du début de l'apport en gaz contenant du fluor au début de la gravure du premier film. エッチング方法は、準備工程と、除去工程とを含む。準備工程では、第１の膜、第１の膜上に積層された第２の膜、および、第２の膜上に積層されたハードマスクを有する基板であって、パターンが形成されたハードマスクをマスクとして、第１の膜が露出するまで第２の膜がエッチングされた基板が準備される。除去工程では、フッ素含有ガスを用いて、ハードマスクが除去される。また、除去工程は、フッ素含有ガスの供給が開始されてからハードマスクのエッチングが始まるまでの第１の時間より長く、かつ、フッ素含有ガスの供給が開始されてから第１の膜のエッチングが始まるまでの第２の時間より短い時間、実行される。