METHODS OF DETECTING NON-CONFORMING SUBSTRATE PROCESSING EVENTS DURING CHEMICAL MECHANICAL POLISHING

Embodiments of the present disclosure generally relate to chemical mechanical polishing systems (CMP) systems and processes used in the manufacturing of electronic devices. In particular, embodiments herein relate to methods of detecting non-conforming substrate processing events during a polishing process. In one embodiment, a method of processing a substrate on a polishing system includes urging a surface of a silicon carbide substrate against a polishing pad in the presence of a polishing fluid, determining a temperature of the polishing pad using a temperature sensor that is positioned above the platen, monitoring the temperature of the polishing pad, and, if the change in polishing pad temperature reaches a threshold value, initiating a response using a controller of the polishing system. Des modes de réalisation de la présente divulgation concernent généralement des systèmes et des processus de polissage chimico-mécanique (CMP) utilisés dans la fabrication de dispositifs électroniques. En particulier, des modes de réalisation de la présente invention concernent des procédés de détection d'événements de traitement de substrat non conformes au cours d'un processus de polissage. Dans un mode de réalisation, un procédé de traitement d'un substrat sur un système de polissage comprend la pression d'une surface d'un substrat de carbure de silicium contre un tampon à polir en présence d'un fluide de polissage, la détermination d'une température du tampon à polir à l'aide d'un capteur de température qui est positionné au-dessus de la platine, le contrôle de la température du tampon à polir, et, si le changement de température du tampon à polir atteint une valeur seuil, le déclenchement d'une réponse à l'aide d'un dispositif de commande du système de polissage.