SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH NITRIDED INTERFACE LAYER

Disclosed is a method for manufacturing a monocrystalline semiconductor material of the nitride of a group 13 element, comprising a step of depositing at least one separation layer comprising an element M selected among Ge, Zr, Y, Si, Se, Sc, Mg, In, W, La, Ti, Ta and Hf, by epitaxial growth on a starting substrate; characterised in that an interface layer of formula MvAlxOyNz is deposited between the starting substrate and the separation layer, wherein: - the atomic indices x and z are greater than 0 and less than or equal to 1; and, - the atomic indices v and y are between 0 and 1; and - the sum y+z is greater than 0.9 and less than or equal to 1.5; and - the sum v+y is greater than or equal to 0.3 and less than or equal to 1. Procédé de fabrication procédé de fabrication d'un matériau monocristallin semi-conducteur de nitrure d'élément 13, comprenant une étape de dépôt d'au moins une couche de séparation comprenant un élément M choisi parmi Ge, Zr, Y, Si, Se, Sc, Mg, In, W, La, Ti, Ta, Hf, par croissance épitaxiale sur un substrat de départ; caractérisé en ce qu'une couche d'interface de formulation MvAlxOyNz, est déposée entre ledit substrat de départ et ladite couche de séparation, où : -les indices atomiques x et z sont supérieurs à 0 et inférieurs ou égaux à 1, et -les indices atomiques v et y sont compris entre 0 et 1, et -la somme y+z est supérieure à 0.9 et inférieure ou égale à 1.5, et - la somme v+y est supérieure ou égale à 0.3 et inférieure ou égale à 1.