MULTIPLE-FREQUENCY ULTRASONIC SENSOR SYSTEM

MULTIPLE-FREQUENCY ULTRASONIC SENSOR SYSTEM

An ultrasonic sensor system may include an ultrasonic transceiver layer, a thin-film transistor (TFT) layer proximate a first side of the ultrasonic transceiver layer, a frequency-splitting layer proximate a second side of the ultrasonic transceiver layer and a high-impedance layer proximate the fre...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: STROHMANN, Jessica Liu, BUCHAN, Nicholas Ian, LU, Yipeng, DJORDJEV, Kostadin Dimitrov, PANCHAWAGH, Hrishikesh Vijaykumar
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
Schlagworte:
CALCULATING
COMPUTING
COUNTING
HANDLING RECORD CARRIERS
PHYSICS
PRESENTATION OF DATA
RECOGNITION OF DATA
RECORD CARRIERS
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creator STROHMANN, Jessica Liu
BUCHAN, Nicholas Ian
LU, Yipeng
DJORDJEV, Kostadin Dimitrov
PANCHAWAGH, Hrishikesh Vijaykumar
description An ultrasonic sensor system may include an ultrasonic transceiver layer, a thin-film transistor (TFT) layer proximate a first side of the ultrasonic transceiver layer, a frequency-splitting layer proximate a second side of the ultrasonic transceiver layer and a high-impedance layer proximate the frequency-splitting layer. The frequency-splitting layer may reside between the ultrasonic transceiver layer and the high-impedance layer. The high-impedance layer may have a higher acoustic impedance than the frequency-splitting layer. Un système de détection ultrasonore peut comprendre une couche d'émission-réception ultrasonore, une couche transistor à couches minces (TFT) à proximité d'un premier côté de la couche d'émission-réception ultrasonore, une couche de division de fréquence à proximité d'un second côté de la couche d'émission-réception ultrasonore et une couche à haute impédance à proximité de la couche de division de fréquence. La couche de division de fréquence peut résider entre la couche d'émission-réception ultrasonore et la couche à haute impédance. La couche à haute impédance peut avoir une impédance acoustique supérieure à celle de la couche de division de fréquence.
format Patent
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The frequency-splitting layer may reside between the ultrasonic transceiver layer and the high-impedance layer. The high-impedance layer may have a higher acoustic impedance than the frequency-splitting layer. Un système de détection ultrasonore peut comprendre une couche d'émission-réception ultrasonore, une couche transistor à couches minces (TFT) à proximité d'un premier côté de la couche d'émission-réception ultrasonore, une couche de division de fréquence à proximité d'un second côté de la couche d'émission-réception ultrasonore et une couche à haute impédance à proximité de la couche de division de fréquence. La couche de division de fréquence peut résider entre la couche d'émission-réception ultrasonore et la couche à haute impédance. 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The frequency-splitting layer may reside between the ultrasonic transceiver layer and the high-impedance layer. The high-impedance layer may have a higher acoustic impedance than the frequency-splitting layer. Un système de détection ultrasonore peut comprendre une couche d'émission-réception ultrasonore, une couche transistor à couches minces (TFT) à proximité d'un premier côté de la couche d'émission-réception ultrasonore, une couche de division de fréquence à proximité d'un second côté de la couche d'émission-réception ultrasonore et une couche à haute impédance à proximité de la couche de division de fréquence. La couche de division de fréquence peut résider entre la couche d'émission-réception ultrasonore et la couche à haute impédance. 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The frequency-splitting layer may reside between the ultrasonic transceiver layer and the high-impedance layer. The high-impedance layer may have a higher acoustic impedance than the frequency-splitting layer. Un système de détection ultrasonore peut comprendre une couche d'émission-réception ultrasonore, une couche transistor à couches minces (TFT) à proximité d'un premier côté de la couche d'émission-réception ultrasonore, une couche de division de fréquence à proximité d'un second côté de la couche d'émission-réception ultrasonore et une couche à haute impédance à proximité de la couche de division de fréquence. La couche de division de fréquence peut résider entre la couche d'émission-réception ultrasonore et la couche à haute impédance. La couche à haute impédance peut avoir une impédance acoustique supérieure à celle de la couche de division de fréquence.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
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