MULTIPLE-FREQUENCY ULTRASONIC SENSOR SYSTEM

An ultrasonic sensor system may include an ultrasonic transceiver layer, a thin-film transistor (TFT) layer proximate a first side of the ultrasonic transceiver layer, a frequency-splitting layer proximate a second side of the ultrasonic transceiver layer and a high-impedance layer proximate the frequency-splitting layer. The frequency-splitting layer may reside between the ultrasonic transceiver layer and the high-impedance layer. The high-impedance layer may have a higher acoustic impedance than the frequency-splitting layer. Un système de détection ultrasonore peut comprendre une couche d'émission-réception ultrasonore, une couche transistor à couches minces (TFT) à proximité d'un premier côté de la couche d'émission-réception ultrasonore, une couche de division de fréquence à proximité d'un second côté de la couche d'émission-réception ultrasonore et une couche à haute impédance à proximité de la couche de division de fréquence. La couche de division de fréquence peut résider entre la couche d'émission-réception ultrasonore et la couche à haute impédance. La couche à haute impédance peut avoir une impédance acoustique supérieure à celle de la couche de division de fréquence.