METHODS FOR PRODUCING HIGH-DENSITY DOPED-CARBON FILMS FOR HARDMASK AND OTHER PATTERNING APPLICATIONS

Embodiments of the present disclosure generally relate to the fabrication of integrated circuits. More particularly, the embodiments described herein provide techniques for depositing high-density films for patterning applications. In one or more embodiments, a method of processing a substrate is pr...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	VENKATASUBRAMANIAN, Eswaranand, MANNA, Pramit, MALLICK, Abhijit Basu
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SEMICONDUCTOR DEVICES SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Embodiments of the present disclosure generally relate to the fabrication of integrated circuits. More particularly, the embodiments described herein provide techniques for depositing high-density films for patterning applications. In one or more embodiments, a method of processing a substrate is provided and includes flowing a deposition gas containing a hydrocarbon compound and a dopant compound into a processing volume of a process chamber having a substrate positioned on an electrostatic chuck, where the processing volume is maintained at a pressure of about 0.5 mTorr to about 10 Torr The method also includes generating a plasma at the substrate by applying a first RF bias to the electrostatic chuck to deposit a doped diamond-like carbon film on the substrate, where the doped diamond-like carbon film has a density of greater than 2 g/cc and a stress of less than -500 MPa. Des modes de réalisation de la présente invention concernent, de manière générale, la fabrication de circuits intégrés. Plus particulièrement, les modes de réalisation de la présente invention concernent des techniques de dépôt de films à haute densité pour des applications de formation de motifs. Dans un ou plusieurs modes de réalisation, la présente invention concerne un procédé de traitement d'un substrat consistant à faire circuler un gaz de dépôt contenant un composé hydrocarboné et un composant dopant dans un volume de traitement d'une chambre de traitement comprenant un substrat positionné sur un porte-substrat électrostatique, le volume de traitement étant maintenu à une pression comprise entre environ 0,5 mTorr et environ 10 Torr. Le procédé consiste également à générer un plasma au niveau du substrat par application d'une première polarisation RF au porte-substrat électrostatique afin de déposer un film de carbone-diamant amorphe dopé sur le substrat, le film de carbone-diamant amorphe dopé présentant une densité supérieure à 2 g/cc et une contrainte inférieure à -500 MPa.