CARRIER SUBSTRATE FOR SOI STRUCTURE AND ASSOCIATED MANUFACTURING METHOD

The invention relates to a carrier substrate (10) made of monocrystalline silicon and having a front face (10a) and a rear face (10b) and comprising: - a surface region (1) extending from the front face (10a) to a depth of between 800nm and 2 microns and having less than 10 crystal originated particles (COP) detected by a surface inspection based on dark field reflection microscopy, - an upper region (2) extending from the front face (10a) to a depth of between a few microns and 40 microns and having an interstitial oxygen content (Oi) less than or equal to 7.5E17 Oi/cm3 and a resistivity greater than 500 ohm.cm, and - a lower region (3) extending between the upper region (2) and the rear face (10b) and having a concentration of micro-defects (BMD) greater than or equal to 1E8/cm3. The invention also relates to a method for manufacturing such a carrier substrate (10). L'invention concerne un substrat support (10) en silicium monocristallin, présentant une face avant (10a) et une face arrière (10b) et comprenant : - une région superficielle (1) allant de la face avant (10a) jusqu'à une profondeur comprise entre 800nm et 2 microns, présentant moins de 10 particules d'origine cristalline (COP) détectées par une inspection de surface basée sur la microscopie par réflexion en champ sombre, - une région supérieure (2) s'étendant de la face avant (10a) jusqu'à une profondeur comprise entre quelques microns et 40 microns, présentant une teneur en oxygène interstitiel (Oi) inférieure ou égale à 7,5E17 Oi/cm3 et une résistivité supérieure à 500 ohm.cm, et - une région inférieure (3) s'étendant entre la région supérieure (2) et la face arrière (10b), présentant une concentration en micro-défauts (BMD) supérieure ou égale à 1E8/cm3. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un tel substrat support (10).