IODINE-CONTAINING FLUOROCARBON AND HYDROFLUOROCARBON COMPOUNDS FOR ETCHING SEMICONDUCTOR STRUCTURES

Disclosed are methods for etching a silicon-containing film to form a patterned structure, methods for reinforcing and/or strengthening and/or minimizing damage of a patterned mask layer while forming a patterned structure and methods for increasing etch resistance of a patterned mask layer in a process of forming a patterned structure. The methods include using an activated iodine-containing etching compound having the formula CnHxFylz, wherein 4≤ n ≤ 10, 0 ≤ x ≤ 21, 0 ≤ y ≤ 21, and 1 ≤ z ≤ 4 as an etching gas. The activated iodine-containing etching compound produces iodine ions, which are implanted into the patterned hardmask layer, thereby strengthening the patterned mask layer. La présente invention concerne des procédés consistant à graver un film contenant du silicium pour former une structure à motifs, des procédés consistant à consolider et/ou renforcer et/ou minimiser la détérioration d'une couche de masque à motifs tout en formant une structure à motifs et des procédés consistant à augmenter la résistance à la gravure d'une couche de masque à motifs dans un procédé de formation d'une structure à motifs. Les procédés comprennent l'utilisation d'un composé de gravure contenant de l'iode activé ayant la formule CnHxFylz,, dans laquelle 4≤ n ≤ 10, 0 ≤ x ≤ 21, 0 ≤ y ≤ 21, et 1 ≤ z ≤ 4 en tant que gaz de gravure. Le composé de gravure contenant de l'iode activé produit des ions d'iode, qui sont implantés dans la couche de masque dur à motifs, ce qui permet de renforcer la couche de masque à motifs.