METHOD FOR CONTACTING A POWER SEMICONDUCTOR DEVICE ON A SUBSTRATE

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Kontaktierung eines Leistungshalbleiters (2) auf einem Substrat (4). Um ein verbessertes Schaltverhalten und eine höhere maximale Stromdichte zu erreichen,wird vorgeschlagen, dass der Leistungshalbleiter (2) auf einer dem Substrat (4) zugewandten Seite (8) mi...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	WAGNER, Claus Florian, WOITON, Michael
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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