METHOD FOR CONTACTING A POWER SEMICONDUCTOR DEVICE ON A SUBSTRATE
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Kontaktierung eines Leistungshalbleiters (2) auf einem Substrat (4). Um ein verbessertes Schaltverhalten und eine höhere maximale Stromdichte zu erreichen,wird vorgeschlagen, dass der Leistungshalbleiter (2) auf einer dem Substrat (4) zugewandten Seite (8) mi...
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , |
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre ; ger |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
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| Zusammenfassung: | Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Kontaktierung eines Leistungshalbleiters (2) auf einem Substrat (4). Um ein verbessertes Schaltverhalten und eine höhere maximale Stromdichte zu erreichen,wird vorgeschlagen, dass der Leistungshalbleiter (2) auf einer dem Substrat (4) zugewandten Seite (8) mindestens zwei elektrisch voneinander isolierte Kontaktbereiche (10, 12) aufweist, wobei die mindestens zwei elektrisch voneinander isolierten Kontaktbereiche (10, 12) des Leistungshalbleiters (2) mittels einer strukturierten, insbesondere metallischen, Verbindungsschicht (26), welche mindestens zwei im Wesentlichen geschlossene Sinterschichten (20, 24, 36) umfasst, mit dem Substrat (4) stoffschlüssig verbunden werden.
The invention relates to a method for contacting a power semiconductor device (2) on a substrate (4). In order to achieve improved switching behaviour and a higher maximum current density, according to the invention the power semiconductor device (2) has, on a side (8) facing the substrate (4), at least two contact regions (10, 12) which are electrically isolated from one another, and the at least two contact regions (10, 12) of the power semiconductor device (2) which are electrically isolated from from one another are integrally bonded to the substrate (4) by means of a structured, in particular metal, connecting layer (26) which comprises at least two substantially closed sintered layers (20, 24, 36).
L'invention concerne un procédé de mise en contact d'un semi-conducteur de puissance (2) sur un substrat (4). L'invention vise à obtenir un meilleur comportement de commutation et une densité de courant maximale augmentée. A cet effet, le semi-conducteur de puissance (2) présente sur une face (8) tournée vers le substrat au moins deux zones de contact (10, 12) isolées électriquement l'une de l'autre, lesdites au moins deux zones de contact (10, 12) isolées électriquement l'une de l'autre du semi-conducteur de puissance (2) étant reliées au substrat (4) par liaison de matière, au moyen d'une couche de liaison (26) structurée, en particulier métallique, qui comprend au moins deux couches frittées (20, 24, 36) sensiblement fermées. |
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