DISPLAY DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS

Provided is a display device comprising: a first semiconductor substrate (100) provided with a drive circuit unit (40) including a pixel transistor group consisting of a plurality of pixel transistors (400) that drive a light emission unit (20); and a second semiconductor substrate (200) provided wi...

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1. Verfasser: AOYAGI, Kenichi
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:Provided is a display device comprising: a first semiconductor substrate (100) provided with a drive circuit unit (40) including a pixel transistor group consisting of a plurality of pixel transistors (400) that drive a light emission unit (20); and a second semiconductor substrate (200) provided with a peripheral circuit unit (30) including a plurality of peripheral circuit transistors (300) that supply a signal voltage to the light emission unit and to the drive circuit unit, the second semiconductor substrate being deposited on the first semiconductor substrate and bonded to the first semiconductor substrate. The film thickness of a gate oxide film (404) of the plurality of pixel transistors is greater than the film thickness of a gate oxide film (304) of the plurality of peripheral circuit transistors. L'invention concerne un dispositif d'affichage comprenant : un premier substrat semi-conducteur (100) pourvu d'une unité de circuit d'entraînement (40) comprenant un groupe de transistors de pixels constitué d'une pluralité de transistors de pixels (400) qui commandent une unité d'émission de lumière (20) ; et un second substrat semi-conducteur (200) pourvu d'une unité de circuit périphérique (30) comprenant une pluralité de transistors de circuit périphérique (300) qui fournissent une tension de signal à l'unité d'émission de lumière et à l'unité de circuit d'entraînement, le second substrat semi-conducteur étant déposé sur le premier substrat semi-conducteur et lié au premier substrat semi-conducteur. L'épaisseur d'un film d'oxyde de grille (404) de la pluralité de transistors de pixels est supérieure à l'épaisseur d'un film d'oxyde de grille (304) de la pluralité de transistors de circuit périphérique. 発光部(20)を駆動する複数の画素トランジスタ(400)からなる画素トランジスタ群を含む駆動回路部(40)が設けられた第1の半導体基板(100)と、前記発光部、及び、前記駆動回路部に信号電圧を供給する複数の周辺回路トランジスタ(300)を含む周辺回路部(30)が設けられ、前記第1の半導体基板上に積層され、前記第1の半導体基板に接合された第2の半導体基板(200)とを備え、前記複数の画素トランジスタのゲート酸化膜(404)の膜厚は、前記複数の周辺回路トランジスタのゲート酸化膜(304)の膜厚に比べて厚い、表示装置を提供する。