FULLY SELF-ALIGNED SUBTRACTIVE ETCH
Apparatuses and methods to provide fully self-aligned first metallization lines, M1, via, and second metallization lines, M2, are described. A first metallization line comprises a set of first conductive lines extending along a first direction on a first insulating layer on a substrate; a second met...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | Apparatuses and methods to provide fully self-aligned first metallization lines, M1, via, and second metallization lines, M2, are described. A first metallization line comprises a set of first conductive lines extending along a first direction on a first insulating layer on a substrate; a second metallization line comprising a set of second conductive lines on an etch stop layer above the first metallization line, the set of second conductive lines extending along a second direction that crosses the first direction at an angle; and at least one via between the first metallization line and the second metallization line, the at least one via comprising a via metallization layer, wherein the at least one via is self-aligned along the second direction to one of the first metallization lines and the at least one via is self-aligned along the first direction to one of the second metallization lines, the second direction crossing the first direction at an angle.
L'invention concerne des appareils et procédés permettant de produire des premières lignes de métallisation (M1) entièrement auto-alignées, des trous d'interconnexion et des secondes lignes de métallisation (M2). Une première ligne de métallisation comprend : un ensemble de premières lignes conductrices s'étendant dans une première direction sur une première couche isolante sur un substrat ; une seconde ligne de métallisation comprenant un ensemble de secondes lignes conductrices sur une couche d'arrêt de gravure au-dessus de la première ligne de métallisation, l'ensemble de secondes lignes conductrices s'étendant dans une seconde direction qui croise la première direction à un certain angle ; et au moins un trou d'interconnexion entre les première et seconde lignes de métallisation, ledit trou d'interconnexion comprenant une couche de métallisation de trou d'interconnexion, étant auto-aligné dans la seconde direction sur l'une des premières lignes de métallisation et étant auto-aligné dans la première direction sur l'une des secondes lignes de métallisation, et la seconde direction croisant la première direction à un certain angle. |
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