METHODS FOR PILLAR CONNECTION ON FRONTSIDE AND PASSIVE DEVICE INTEGRATION ON BACKSIDE OF DIE

An integrated circuit device includes a radio frequency transistor amplifier die having a first surface, a second surface, a semiconductor layer structure that is between the first and second surfaces and includes a plurality of transistor cells adjacent the first surface, and terminals coupled to the transistor cells. At least one passive electronic component is provided on the second surface of the die and is electrically connected to at least one of the terminals, for example, by at least one conductive via. One or more conductive pillar structures may protrude from the first surface of the die to provide electrical connections to one or more of the terminals. Un dispositif de circuit intégré comprend une puce d'amplificateur de transistor radiofréquence ayant une première surface, une seconde surface, une structure de couche semi-conductrice qui se trouve entre les première et seconde surfaces et comprend une pluralité de cellules de transistor adjacentes à la première surface, et des bornes couplées aux cellules de transistor. Au moins un composant électronique passif est disposé sur la seconde surface de la puce et est électriquement connecté à au moins l'une des bornes, par exemple, par au moins un trou d'interconnexion conducteur. Une ou plusieurs structures de pilier conducteur peuvent faire saillie depuis la première surface de la puce pour fournir des connexions électriques à une ou plusieurs des bornes.