MONITORING AN IDEAL DIODE

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Überwachung einer idealen Diode (6) aufweisend einen MOSFET (7) mit je einer Drain-Elektrode (11), Source-Elektrode (9) und Gate-Elektrode (10), wobei eine Source-Gate-Spannung des MOSFETs (7) der idealen Diode (6) derart geregelt ist, dass die ideale Diode (6) zwischen einem sperrendem Zustand und einem durchgeschalteten Zustand mit einem ersten Sollwert (15) für eine Source-Drain-Spannung umschaltbar ist. Um alle möglichen Fehlerzustände detektieren zu können wird die Source-Drain-Spannung und die Source-Gate-Spannung gemessen und überprüft, ob in dem durchgeschalteten Zustand der idealen Diode (6) die Source-Drain-Spannung den ersten Sollwert (15) innerhalb vorgegebener Fehlergrenzen erreicht, und ein Testmodus durchgeführt, in dem ein zweiter Sollwert für die Source-Drain-Spannung eingestellt wird, der kleiner ist als der erste Sollwert (15), und überprüft, ob die Source-Gate-Spannung bei der Durchführung des Testmodus einen oberen Schwellwert erreicht, und ein Fehlersignal ausgegeben wird, wenn der erste Sollwert (15) und/oder der obere Schwellwert nicht erreicht wird. The invention relates to a method for monitoring an ideal diode (6) comprising a MOSFET (7) having in each case one drain electrode (11), source electrode (9) and gate electrode (10), wherein a source-gate voltage of the MOSFET (7) of the ideal diode (6) is controlled in such a way that the ideal diode (6) is switchable between an off state and an on state with a first setpoint value (15) for a source-drain voltage. In order to be able to detect all possible error states, the source-drain voltage and the source-gate voltage are measured and a check is made to ascertain whether, in the on state of the ideal diode (6), the source-drain voltage reaches the first setpoint value (15) within predefined error limits, and a test mode is carried out in which a second setpoint value is set for the source-drain voltage, said second setpoint value being less than the first setpoint value (15), and a check is made to ascertain whether the source-gate voltage reaches an upper threshold value when the test mode is carried out, and an error signal is output if the first setpoint value (15) and/or the upper threshold value are/is not reached. L'invention concerne un procédé de surveillance d'une diode idéale (6) comprenant un MOSFET (7) ayant respectivement une électrode de drain (11), une électrode de source (9) et une électrode de grille (10), une tension de so