SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING SYSTEM AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
Provided are a semiconductor device manufacturing system and a semiconductor device manufacturing method for reducing foreign material that has an adverse influence during a semiconductor device manufacturing process. In a semiconductor device manufacturing system provided with a semiconductor manuf...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre ; jpn |
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creator | KOMEDA, Kenichiro ARAMAKI, Tooru SAITO, Go ENOMOTO, Yuuji TSUTSUMI, Takashi |
description | Provided are a semiconductor device manufacturing system and a semiconductor device manufacturing method for reducing foreign material that has an adverse influence during a semiconductor device manufacturing process. In a semiconductor device manufacturing system provided with a semiconductor manufacturing device and a platform which is connected to the semiconductor manufacturing device via a network and on which a foreign material reduction process is performed, the foreign material reduction process comprises: a step for acquiring a foreign material characteristic value using a sample processed by the semiconductor manufacturing device; a step for identifying, by machine learning and on the basis of the acquired foreign material characteristic value and correlation data, a component of the semiconductor manufacturing device associated with development of foreign material; a step for defining, on the basis of the identified component, a cleaning condition for cleaning the semiconductor manufacturing device; and a step for cleaning the semiconductor manufacturing device using the defined cleaning condition. The correlation data comprises previously obtained data of correlation between the foreign material characteristic value and the component.
L'invention concerne un système de fabrication de dispositif à semi-conducteur et un procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur pour réduire une matière étrangère qui a une influence défavorable pendant un processus de fabrication de dispositif à semi-conducteur. Dans un système de fabrication de dispositif à semi-conducteur pourvu d'un dispositif de fabrication à semi-conducteur et d'une plateforme qui est connectée au dispositif de fabrication à semi-conducteur par l'intermédiaire d'un réseau et sur laquelle un processus de réduction de matière étrangère est réalisé, le processus de réduction de matière étrangère comprend : une étape consistant à acquérir une valeur caractéristique de matière étrangère à l'aide d'un échantillon traité par le dispositif de fabrication à semi-conducteur ; une étape consistant à identifier, par apprentissage automatique et sur la base de la valeur caractéristique de matière étrangère acquise et de données de corrélation, un composant du dispositif de fabrication à semi-conducteur associé au développement d'une matière étrangère ; une étape consistant à définir, sur la base du composant identifié, une condition de nettoyage pour nettoyer le dispositif de fabrication à se |
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L'invention concerne un système de fabrication de dispositif à semi-conducteur et un procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur pour réduire une matière étrangère qui a une influence défavorable pendant un processus de fabrication de dispositif à semi-conducteur. Dans un système de fabrication de dispositif à semi-conducteur pourvu d'un dispositif de fabrication à semi-conducteur et d'une plateforme qui est connectée au dispositif de fabrication à semi-conducteur par l'intermédiaire d'un réseau et sur laquelle un processus de réduction de matière étrangère est réalisé, le processus de réduction de matière étrangère comprend : une étape consistant à acquérir une valeur caractéristique de matière étrangère à l'aide d'un échantillon traité par le dispositif de fabrication à semi-conducteur ; une étape consistant à identifier, par apprentissage automatique et sur la base de la valeur caractéristique de matière étrangère acquise et de données de corrélation, un composant du dispositif de fabrication à semi-conducteur associé au développement d'une matière étrangère ; une étape consistant à définir, sur la base du composant identifié, une condition de nettoyage pour nettoyer le dispositif de fabrication à semi-conducteur ; et une étape consistant à nettoyer le dispositif de fabrication à semi-conducteur à l'aide de la condition de nettoyage définie. Les données de corrélation comprennent des données précédemment obtenues de corrélation entre la valeur caractéristique de matière étrangère et le composant.
半導体デバイスの製造工程で悪影響を及ぼす異物を低減するための半導体製造装置システムおよび半導体装置製造方法を提供する。半導体製造装置と、ネットワークを介して前記半導体製造装置に接続され異物低減処理が実行されるプラットフォームとを備える半導体装置製造システムにおける前記異物低減処理は、前記半導体製造装置により処理された試料を用いて異物特性値を取得するステップと、機械学習により、前記取得された異物特性値と相関データを基に異物発生に起因する前記半導体製造装置の部品を特定するステップと、前記半導体製造装置をクリーニングするためのクリーニング条件を前記特定された部品を基に規定するステップと、前記規定されたクリーニング条件を用いて前記半導体製造装置をクリーニングするステップとを有し、前記相関データは、予め取得された前記異物特性値と前記部品との相関データである。</description><language>eng ; fre ; jpn</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2021</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20211202&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2021241242A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20211202&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2021241242A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>KOMEDA, Kenichiro</creatorcontrib><creatorcontrib>ARAMAKI, Tooru</creatorcontrib><creatorcontrib>SAITO, Go</creatorcontrib><creatorcontrib>ENOMOTO, Yuuji</creatorcontrib><creatorcontrib>TSUTSUMI, Takashi</creatorcontrib><title>SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING SYSTEM AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD</title><description>Provided are a semiconductor device manufacturing system and a semiconductor device manufacturing method for reducing foreign material that has an adverse influence during a semiconductor device manufacturing process. In a semiconductor device manufacturing system provided with a semiconductor manufacturing device and a platform which is connected to the semiconductor manufacturing device via a network and on which a foreign material reduction process is performed, the foreign material reduction process comprises: a step for acquiring a foreign material characteristic value using a sample processed by the semiconductor manufacturing device; a step for identifying, by machine learning and on the basis of the acquired foreign material characteristic value and correlation data, a component of the semiconductor manufacturing device associated with development of foreign material; a step for defining, on the basis of the identified component, a cleaning condition for cleaning the semiconductor manufacturing device; and a step for cleaning the semiconductor manufacturing device using the defined cleaning condition. The correlation data comprises previously obtained data of correlation between the foreign material characteristic value and the component.
L'invention concerne un système de fabrication de dispositif à semi-conducteur et un procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur pour réduire une matière étrangère qui a une influence défavorable pendant un processus de fabrication de dispositif à semi-conducteur. Dans un système de fabrication de dispositif à semi-conducteur pourvu d'un dispositif de fabrication à semi-conducteur et d'une plateforme qui est connectée au dispositif de fabrication à semi-conducteur par l'intermédiaire d'un réseau et sur laquelle un processus de réduction de matière étrangère est réalisé, le processus de réduction de matière étrangère comprend : une étape consistant à acquérir une valeur caractéristique de matière étrangère à l'aide d'un échantillon traité par le dispositif de fabrication à semi-conducteur ; une étape consistant à identifier, par apprentissage automatique et sur la base de la valeur caractéristique de matière étrangère acquise et de données de corrélation, un composant du dispositif de fabrication à semi-conducteur associé au développement d'une matière étrangère ; une étape consistant à définir, sur la base du composant identifié, une condition de nettoyage pour nettoyer le dispositif de fabrication à semi-conducteur ; et une étape consistant à nettoyer le dispositif de fabrication à semi-conducteur à l'aide de la condition de nettoyage définie. Les données de corrélation comprennent des données précédemment obtenues de corrélation entre la valeur caractéristique de matière étrangère et le composant.
半導体デバイスの製造工程で悪影響を及ぼす異物を低減するための半導体製造装置システムおよび半導体装置製造方法を提供する。半導体製造装置と、ネットワークを介して前記半導体製造装置に接続され異物低減処理が実行されるプラットフォームとを備える半導体装置製造システムにおける前記異物低減処理は、前記半導体製造装置により処理された試料を用いて異物特性値を取得するステップと、機械学習により、前記取得された異物特性値と相関データを基に異物発生に起因する前記半導体製造装置の部品を特定するステップと、前記半導体製造装置をクリーニングするためのクリーニング条件を前記特定された部品を基に規定するステップと、前記規定されたクリーニング条件を用いて前記半導体製造装置をクリーニングするステップとを有し、前記相関データは、予め取得された前記異物特性値と前記部品との相関データである。</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2021</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZAgPdvX1dPb3cwl1DvEPUnBxDfN0dlXwdfQLdXN0DgkN8vRzVwiODA5x9VVw9HNRIEK1r2uIh78LDwNrWmJOcSovlOZmUHZzDXH20E0tyI9PLS5ITE7NSy2JD_c3MjAyNDIBIiNHQ2PiVAEAzwEyVQ</recordid><startdate>20211202</startdate><enddate>20211202</enddate><creator>KOMEDA, Kenichiro</creator><creator>ARAMAKI, Tooru</creator><creator>SAITO, Go</creator><creator>ENOMOTO, Yuuji</creator><creator>TSUTSUMI, Takashi</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20211202</creationdate><title>SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING SYSTEM AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD</title><author>KOMEDA, Kenichiro ; ARAMAKI, Tooru ; SAITO, Go ; ENOMOTO, Yuuji ; TSUTSUMI, Takashi</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2021241242A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre ; jpn</language><creationdate>2021</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>KOMEDA, Kenichiro</creatorcontrib><creatorcontrib>ARAMAKI, Tooru</creatorcontrib><creatorcontrib>SAITO, Go</creatorcontrib><creatorcontrib>ENOMOTO, Yuuji</creatorcontrib><creatorcontrib>TSUTSUMI, Takashi</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>KOMEDA, Kenichiro</au><au>ARAMAKI, Tooru</au><au>SAITO, Go</au><au>ENOMOTO, Yuuji</au><au>TSUTSUMI, Takashi</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING SYSTEM AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD</title><date>2021-12-02</date><risdate>2021</risdate><abstract>Provided are a semiconductor device manufacturing system and a semiconductor device manufacturing method for reducing foreign material that has an adverse influence during a semiconductor device manufacturing process. In a semiconductor device manufacturing system provided with a semiconductor manufacturing device and a platform which is connected to the semiconductor manufacturing device via a network and on which a foreign material reduction process is performed, the foreign material reduction process comprises: a step for acquiring a foreign material characteristic value using a sample processed by the semiconductor manufacturing device; a step for identifying, by machine learning and on the basis of the acquired foreign material characteristic value and correlation data, a component of the semiconductor manufacturing device associated with development of foreign material; a step for defining, on the basis of the identified component, a cleaning condition for cleaning the semiconductor manufacturing device; and a step for cleaning the semiconductor manufacturing device using the defined cleaning condition. The correlation data comprises previously obtained data of correlation between the foreign material characteristic value and the component.
L'invention concerne un système de fabrication de dispositif à semi-conducteur et un procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur pour réduire une matière étrangère qui a une influence défavorable pendant un processus de fabrication de dispositif à semi-conducteur. Dans un système de fabrication de dispositif à semi-conducteur pourvu d'un dispositif de fabrication à semi-conducteur et d'une plateforme qui est connectée au dispositif de fabrication à semi-conducteur par l'intermédiaire d'un réseau et sur laquelle un processus de réduction de matière étrangère est réalisé, le processus de réduction de matière étrangère comprend : une étape consistant à acquérir une valeur caractéristique de matière étrangère à l'aide d'un échantillon traité par le dispositif de fabrication à semi-conducteur ; une étape consistant à identifier, par apprentissage automatique et sur la base de la valeur caractéristique de matière étrangère acquise et de données de corrélation, un composant du dispositif de fabrication à semi-conducteur associé au développement d'une matière étrangère ; une étape consistant à définir, sur la base du composant identifié, une condition de nettoyage pour nettoyer le dispositif de fabrication à semi-conducteur ; et une étape consistant à nettoyer le dispositif de fabrication à semi-conducteur à l'aide de la condition de nettoyage définie. Les données de corrélation comprennent des données précédemment obtenues de corrélation entre la valeur caractéristique de matière étrangère et le composant.
半導体デバイスの製造工程で悪影響を及ぼす異物を低減するための半導体製造装置システムおよび半導体装置製造方法を提供する。半導体製造装置と、ネットワークを介して前記半導体製造装置に接続され異物低減処理が実行されるプラットフォームとを備える半導体装置製造システムにおける前記異物低減処理は、前記半導体製造装置により処理された試料を用いて異物特性値を取得するステップと、機械学習により、前記取得された異物特性値と相関データを基に異物発生に起因する前記半導体製造装置の部品を特定するステップと、前記半導体製造装置をクリーニングするためのクリーニング条件を前記特定された部品を基に規定するステップと、前記規定されたクリーニング条件を用いて前記半導体製造装置をクリーニングするステップとを有し、前記相関データは、予め取得された前記異物特性値と前記部品との相関データである。</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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