ELECTROPLATING NANOTWINNED AND NON-NANOTWINNED COPPER FEATURES

Nanotwinned copper and non-nanotwinned copper may be electroplated to form mixed crystal structures such as 2-in-1 copper via and RDL structures or 2-in-1 copper via and pillar structures. Nanotwinned copper may be electroplated on a non-nanotwinned copper layer by pretreating a surface of the non-nanotwinned copper layer with an oxidizing agent or other chemical reagent. Alternatively, nanotwinned copper may be electroplated to partially fill a recess in a dielectric layer, and non-nanotwinned copper may be electroplated over the nanotwinned copper to fill the recess. Copper overburden may be subsequently removed. Selon la présente invention, du cuivre nanomaclé et du cuivre non nanomaclé peuvent être électrodéposés pour former des structures cristallines mixtes telles que des structures de trou d'interconnexion et RDL de cuivre 2-en-1 ou des structures de trou d'interconnexion et de pilier de cuivre 2-en-1. Le cuivre nanomaclé peut être électrodéposé sur une couche de cuivre non nanomaclé par prétraitement d'une surface de la couche de cuivre non nanomaclé avec un agent oxydant ou un autre réactif chimique. En variante, du cuivre nanomaclé peut être électrodéposé pour remplir partiellement un évidement dans une couche diélectrique, et du cuivre non nanomaclé peut être déposé par électrodéposition sur le cuivre nanomaclé pour remplir l'évidement. La surcharge de cuivre peut ensuite être retirée.