THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE CONTAINING AUXILLIARY SUPPORT PILLAR STRUCTURES AND METHOD OF MAKING THE SAME

A three-dimensional memory device includes a first-tier structure located over a substrate and including a first alternating stack of first insulating layers and first electrically conductive layers, a second-tier structure located over the first-tier structure and including a second alternating stack of second insulating layers and second electrically conductive layers, memory stack structures vertically extending through the first alternating stack and the second alternating stack, primary support pillar structures, and auxiliary support pillar structures vertically extending through the first alternating stack, underlying the second stepped surfaces, and located below a horizontal plane including a bottommost surface of the second alternating stack. Dispositif de mémoire tridimensionnel comprenant une structure de premier niveau située sur un substrat et comprenant un premier empilement alterné de premières couches isolantes et de premières couches électroconductrices, une structure de second niveau située au-dessus de la structure de premier niveau et comprenant un second empilement alterné de secondes couches isolantes et de secondes couches électroconductrices, des structures d'empilement de mémoire s'étendant verticalement à travers le premier empilement alterné et le second empilement alterné, des structures de pilier de support primaire et des structures de pilier de support auxiliaire s'étendant verticalement à travers le premier empilement alterné, sous-jacentes aux secondes surfaces étagées, et situées au-dessous d'un plan horizontal comprenant la surface la plus basse du second empilement alterné.