REFRESH OPERATION OF A MEMORY CELL

Methods, systems, and devices for a refresh operation of a memory cell are described. A memory device may include a plurality of rows of memory cells. Each row of memory cells may undergo a quantity of access operations (e.g., read operations, write operations). During a read operation, a logic state of one or more memory cells may be determined by applying a read pulse having a first polarity. Based on the one or more memory cells storing a particular logic state (e.g., a first logic state), a refresh operation may be performed. During a refresh operation, a refresh pulse having a second polarity (e.g., a different polarity than the first polarity) may be applied to the one or more memory cells. Des procédés, des systèmes, et des dispositifs destinés à une opération de rafraîchissement d'une cellule de mémoire sont décrits. Un dispositif de mémoire peut comprendre une pluralité de rangées de cellules de mémoire. Chaque rangée de cellules de mémoire peut subir une quantité d'opérations d'accès (par exemple, opérations de lecture, opérations d'écriture). Pendant une opération de lecture, un état logique d'une ou de plusieurs cellules de mémoire peut être déterminé par application d'une impulsion de lecture présentant une première polarité. Sur la base de la ou des cellules de mémoire stockant un état logique particulier (par exemple, un premier état logique), une opération de rafraîchissement peut être effectuée. Pendant une opération de rafraîchissement, une impulsion de rafraîchissement présentant une seconde polarité (par exemple, une polarité différente de la première polarité) peut être appliquée à la ou aux cellules de mémoire.