METHOD OF PREPARING NANOWIRE NETWORKS AND NETWORKS PREPARED THEREBY

The present invention relates to methods of preparing nanowire networks, as well as to nanowire networks prepared thereby. The method comprises (a) providing a substrate coated with a film of a first polymer; (b) depositing nanofibers of a second polymer onto the film to form a patterned layer compr...

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Hauptverfasser: BOLAND, John, BARIMAR, Prabhava S. N, SHEERIN, Emmet
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:The present invention relates to methods of preparing nanowire networks, as well as to nanowire networks prepared thereby. The method comprises (a) providing a substrate coated with a film of a first polymer; (b) depositing nanofibers of a second polymer onto the film to form a patterned layer comprising a nanofibre network structure; (c) depositing a layer of a first metal onto the patterned layer; (d) performing a solvent development step to selectively remove the nanofibers leaving a negative pattern exposing the first polymer film; (e) performing an etching step to remove the exposed polymer film; (f) depositing a second metal or oxide thereof onto the negative pattern to form a templated nanowire network; and (g) performing a lift-off step to expose the nanowire network. La présente invention concerne des procédés de préparation de réseaux de nanofils, ainsi que des réseaux de nanofils préparés par ledit procédé. Le procédé comprend (a) la fourniture d'un substrat revêtu d'un film d'un premier polymère ; (b) le dépôt de nanofibres d'un second polymère sur le film pour former une couche à motifs comprenant une structure de réseau de nanofibres ; (c) le dépôt d'une couche d'un premier métal sur la couche à motifs ; (d) la réalisation d'une étape de développement de solvant pour éliminer sélectivement les nanofibres laissant un motif négatif exposant le premier film polymère ; (e) la réalisation d'une étape de gravure pour éliminer le film polymère exposé ; (f) le dépôt d'un second métal ou d'un oxyde de celui-ci sur le motif négatif pour former un réseau de nanofils modélisé ; et (g) la réalisation d'une étape de décollement pour exposer le réseau de nanofils.