ETCHING METHOD AND ETCHING DEVICE

The present invention is an etching method for supplying etching gases to a substrate to etch a surface, wherein the following steps are performed: a protection step in which an amine gas is supplied to the substrate on which an oxygen-containing silicon film has been disposed, and in which a protective film, for preventing etching by the etching gases, is formed on a surface of the oxygen-containing silicon film; and a first etching step in which a first etching gas, which is one of the etching gases and is a fluorine-containing gas, and the amine gas are supplied to the substrate to etch the oxygen-containing silicon film. La présente invention concerne un procédé de gravure pour fournir des gaz de gravure à un substrat en vue de graver une surface, les étapes suivantes étant réalisées : une étape de protection au cours de laquelle un gaz amine est fourni au substrat sur lequel a été disposé un film de silicium contenant de l'oxygène, et au cours de laquelle un film protecteur, pour empêcher la gravure par les gaz de gravure, est formé sur une surface du film de silicium contenant de l'oxygène ; et une première étape de gravure au cours de laquelle un premier gaz de gravure, qui est l'un des gaz de gravure et est un gaz contenant du fluor, et le gaz amine sont fournis au substrat pour graver le film de silicium contenant de l'oxygène. 基板にエッチングガスを供給して表面をエッチングするエッチング方法において、酸素を含有するシリコン膜が設けられた前記基板にアミンガスを供給し、前記酸素を含有するシリコン膜の表面に、前記エッチングガスによるエッチングを防止するための保護膜を形成して保護する保護工程と、前記エッチングガスの一つでありフッ素含有ガスである第１のエッチングガスと、前記アミンガスと、を前記基板に供給して、前記酸素を含有するシリコン膜をエッチングする第１のエッチング工程と、を実施する。