ETCHING LIQUID

When amorphous silicon between source and drain is etched down via dry etching, in some cases an overhang shape is formed by hollowing out the area below a molybdenum film of a copper/molybdenum film that constitutes an electrode terminal. An etching liquid characterized by comprising hydrogen peroxide, an organic acid, an amine, an azole, a hydrogen peroxide decomposition inhibitor, and water, wherein the organic acid is a mixture of three or more acids selected from among glycolic acid, lactic acid, oxalic acid, malonic acid, maleic acid, succinic acid, malic acid, citric acid, aspartic acid, and glutamic acid makes it possible to etch the overhang shape into a prescribed shape. Selon l'invention, lorsque du silicium amorphe entre une source et un drain est gravé par gravure sèche, dans certains cas, une forme en surplomb est formée par le creusement de la zone au-dessous d'un film de molybdène d'un film cuivre/molybdène qui constitue une borne d'électrode. Un liquide de gravure, caractérisé par le fait qu'il comprend du peroxyde d'hydrogène, un acide organique, une amine, un azole, un inhibiteur de décomposition de peroxyde d'hydrogène, et de l'eau, l'acide organique étant un mélange de trois acides ou plus sélectionnés parmi l'acide glycolique, l'acide lactique, l'acide oxalique, l'acide malonique, l'acide maléique, l'acide succinique, l'acide malique, l'acide citrique, l'acide aspartique et l'acide glutamique, permet de graver la forme en surplomb selon une forme prescrite. ソースドレイン間のアモルファスシリコンをドライエッチングで掘り下げる場合、電極端子を構成する銅／モリブデン膜のモリブデン膜の下側が抉られる庇形状が形成される場合がある。 過酸化水素と、有機酸と、アミン類と、アゾール類と、過酸化水素分解抑制剤と、水で構成され、前記有機酸はグリコール酸、乳酸、シュウ酸、マロン酸、マレイン酸、コハク酸、リンゴ酸、クエン酸、アスパラギン酸、グルタミン酸から選ばれる３種以上の混合物であることを特徴とするエッチング液は、庇形状を所定の形状にエッチングすることができる。