LID STACK FOR HIGH FREQUENCY PROCESSING

Exemplary semiconductor processing chambers may include a substrate support positioned within a processing region of the semiconductor processing chamber. The chamber may include a lid plate. The chamber may include a gasbox positioned between the lid plate and the substrate support. The gasbox may be characterized by a first surface and a second surface opposite the first surface. The gasbox may define a central aperture. The gasbox may define an annular channel in the first surface of the gasbox extending about the central aperture through the gasbox. The gasbox may include an annular cover extending across the annular channel defined in the first surface of the gasbox. The chamber may include a blocker plate positioned between the gasbox and the substrate support. The chamber may include a ferrite block positioned between the lid plate and the blocker plate. Selon l'invention, des exemples de chambres de traitement de semi-conducteurs peuvent comprendre un support de substrat positionné à l'intérieur d'une zone de traitement de la chambre de traitement de semi-conducteurs. La chambre peut comprendre une plaque de couvercle. La chambre peut également comprendre une boîte à gaz positionnée entre la plaque de couvercle et le support de substrat. La boîte à gaz peut se caractériser par une première surface et une deuxième surface opposée à la première. La boîte à gaz peut définir une ouverture centrale. La boîte à gaz peut également définir un canal annulaire dans sa première surface s'étendant autour de l'ouverture centrale et traversant ladite boîte. La boîte à gaz peut comprendre un couvercle annulaire s'étendant sur le canal annulaire défini dans la première surface de ladite boîte. La chambre peut comprendre une plaque de blocage positionnée entre la boîte à gaz et le support de substrat. La chambre peut également également comprendre un bloc de ferrite positionné entre la plaque de couvercle et la plaque de blocage.