LEVELING COMPOUND CONTROL

An apparatus and method of adjusting a plating solution are described. Suppressor is added to the plating solution until a comparison to reference data of an RDE potential taken at a first time during a constant current experiment indicates a threshold suppressor concentration is present. The amount of suppressor added to reach the threshold suppressor concentration is used to determine suppressor concentration of the solution. Another amount of suppressor is added to a new plating solution so that the new plating solution has a specific suppressor concentration. The RDE potential or slope of RDE potential change of the new plating concentration with the specific suppressor concentration taken at a second time during another constant current experiment is compared with the reference data to determine the leveler concentration. The suppressor and leveler concentrations of the original plating solution are adjusted before a semiconductor substrate is plated. L'invention concerne un appareil et un procédé consistant à ajuster une solution de placage. Un suppresseur est ajouté à la solution de placage jusqu'à ce qu'une comparaison à des données de référence d'un potentiel RDE pris à un premier instant durant une expérience à courant constant indique qu'une concentration de suppresseur de seuil est présente. La quantité de suppresseur ajoutée pour atteindre la concentration de suppresseur de seuil sert à déterminer la concentration de suppresseur de la solution. Une autre quantité de suppresseur est ajoutée à une nouvelle solution de placage de sorte que la nouvelle solution de placage ait une concentration spécifique de suppresseur. Le potentiel RDE ou le changement de pente du potentiel RDE de la nouvelle concentration de placage avec la concentration spécifique de suppresseur pris à un deuxième instant durant une autre expérience à courant constant est comparé aux données de référence pour déterminer la concentration d'égaliseur. Les concentrations de suppresseur et d'égaliseur de la solution de placage originale sont ajustées avant qu'un substrat semi-conducteur soit plaqué.