ETCHING METHOD AND ETCHING DEVICE

According to the present invention, a silicon film that is formed on the surface of a substrate is etched by supplying a fluorine gas and an amine gas to the substrate. Selon la présente invention, un film de silicium qui est formé sur la surface d'un substrat est gravé en exposant le substrat...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	ORII Takehiko, TAKAHASHI Nobuhiro
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; jpn
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	According to the present invention, a silicon film that is formed on the surface of a substrate is etched by supplying a fluorine gas and an amine gas to the substrate. Selon la présente invention, un film de silicium qui est formé sur la surface d'un substrat est gravé en exposant le substrat à un gaz fluor et à un gaz amine. 表面にシリコン膜が形成された基板にフッ素ガスとアミンガスとを供給して、当該シリコン膜をエッチングする。