MEMORY UNIT, SEMICONDUCTOR MODULE, DIMM MODULE, AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

The present invention provides a memory unit, a semiconductor module, a DIMM module, and a manufacturing method for the same with which it is possible to form electrodes on a side surface of a stacked body while holding down costs. A memory unit 20 having a plurality of memory chips 21 comprises: the memory unit 20 that has a plurality of memory chips 21 that are stacked; and protruding terminals 24 that are disposed protruding from a side surface along the stacking direction D of the memory unit 20, wherein the protruding terminals 24 have surfaces that are positioned in a direction orthogonal to the protrusion direction, and between said surfaces, the surface roughness of a surface facing one way is greater than the surface roughness of a surface facing the other way. La présente invention concerne une unité de mémoire, un module semi-conducteur, un module DIMM, et leur procédé de fabrication grâce auquel il est possible de former des électrodes sur une surface latérale d'un corps empilé tout en maintenant de faibles coûts. Une unité de mémoire (20) ayant une pluralité de puces de mémoire (21) comprend : l'unité de mémoire (20) qui a la pluralité de puces de mémoire (21) qui sont empilées ; et des bornes en saillie (24) qui sont disposées en saillie depuis une surface latérale dans la direction d'empilement (D) de l'unité de mémoire (20). Les bornes en saillie (24) ont des surfaces qui sont positionnées dans une direction orthogonale à la direction de saillie, et entre lesdites surfaces, la rugosité de surface d'une surface tournée d'un côté est supérieure à la rugosité de surface d'une surface tournée de l'autre côté. コストを抑制しつつ、積層体の側面に電極を形成可能なメモリユニット、半導体モジュール、ＤＩＭＭモジュール、及びそれらの製造方法を提供すること。 複数のメモリチップ２１を有するメモリユニット２０であって、積層される複数のメモリチップ２１を有するメモリユニット２０と、メモリユニット２０の積層方向Ｄに沿う側面から突出して配置される突出端子２４と、を備え、突出端子２４は、突出方向に交差する方向に位置する表面のうち、一方を向く表面の面粗度において、他方を向く表面の面粗度よりも大きい。