SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT

Provided is a semiconductor integrated circuit comprising: a semiconductor substrate of a first conductivity type; a first electrode formed on one side of the semiconductor substrate; a first impurity region of a second conductivity type formed on one side of the semiconductor substrate in a region not overlapping the first electrode in plan view; a second impurity region of the second conductivity type formed inside the first impurity region in plan view; a third impurity region of the first conductivity type formed inside the first impurity region in plan view and formed adjacent to the second impurity region; and a second electrode provided on top of the second impurity region and the third impurity region. L'invention concerne un circuit intégré à semi-conducteur comprenant : un substrat semi-conducteur d'un premier type de conductivité ; une première électrode formée sur un côté du substrat semi-conducteur ; une première région d'impureté d'un second type de conductivité formée sur un côté du substrat semi-conducteur dans une région ne chevauchant pas la première électrode dans une vue en plan ; une deuxième région d'impureté du second type de conductivité formée à l'intérieur de la première région d'impureté dans une vue en plan ; une troisième région d'impureté du premier type de conductivité formée à l'intérieur de la première région d'impureté dans une vue en plan et formée adjacente à la deuxième région d'impureté ; et une seconde électrode disposée au-dessus de la deuxième région d'impureté et de la troisième région d'impureté. 第１の導電型の半導体基板と、半導体基板の一方の面に形成された第１の電極と、平面視で第１の電極と重ならない領域の前記半導体基板の一方の面に形成された第２の導電型の第１の不純物領域と、平面視で第１の不純物領域の内部に形成された第２の導電型の第２の不純物領域と、平面視で第１の不純物領域の内部に形成されるとともに第２の不純物領域に隣接して形成された第１の導電型の第３の不純物領域と、第２の不純物領域および第３の不純物領域の上部に設けられた第２の電極と、を含む半導体集積回路が提供される。