POWER MODULE AND PRODUCTION METHOD FOR SAME

A power module that comprises an insulation layer 10, a plurality of semiconductor elements 20 that are adhered to the insulation layer 10 via an adhesive 12 and each have an electrode 21 on a lower surface thereof, a metal layer 14 that is provided on the insulation layer 10 and connected to upper surfaces of the plurality of semiconductor elements 20 via openings 16 that pass through the insulation layer 10 and the adhesive 12, a heat dissipation member 26 that is bonded to the metal layer 14 and connected to the plurality of semiconductor elements 20, and a substrate 24 that has the plurality of semiconductor elements 20 mounted thereon and is bonded to the electrodes 21. Module de puissance qui comprend une couche d'isolation 10, une pluralité d'éléments semi-conducteurs 20 qui sont collés à la couche d'isolation 10 par le biais d'un adhésif 12 et comprennent chacun une électrode 21 sur une surface inférieure correspondante, une couche métallique 14 qui est disposée sur la couche d'isolation 10 et reliée à des surfaces supérieures de la pluralité d'éléments semi-conducteurs 20 par le biais d'ouvertures 16 qui traversent la couche d'isolation 10 et l'adhésif 12, un élément de dissipation de chaleur 26 qui est lié à la couche métallique 14 et relié à la pluralité d'éléments semi-conducteurs 20, et un substrat 24 sur lequel la pluralité d'éléments semi-conducteurs 20 sont montés et qui est lié aux électrodes 21. パワーモジュールは、絶縁層１０と、前記絶縁層１０上に接着剤１２を介し接着され、下面に電極２１を各々有する複数の半導体素子２０と、前記絶縁層１０上に設けられ、前記絶縁層１０および前記接着剤１２を貫通する開口１６を介し前記複数の半導体素子２０の上面に接続された金属層１４と、前記金属層１４上に接合され、前記複数の半導体素子２０に接続される放熱部材２６と、前記複数の半導体素子２０が搭載され、前記電極２１に接合された基板２４と、を備える。