CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE

The present invention improves the reliability of sample analysis performed by using a charged particle beam device. This charged particle beam device is provided with a region setting means for setting, by using a low-magnification image of a sample captured under low-vacuum conditions, an irradiation region for irradiating the sample with an electron beam and a no-irradiation region for prohibiting irradiation of the sample with the electron beam. The charged particle beam device is also provided with a captured image acquiring means for selectively irradiating the irradiation region with the electron beam, with the interior of a sample chamber being in a high-vacuum state, and acquiring a high-vacuum SEM image of the irradiation region on the basis of secondary electrons or reflection electrons released from the irradiation region. La présente invention améliore la fiabilité d'une analyse d'échantillon réalisée en utilisant un dispositif à faisceau de particules chargées. Ce dispositif à faisceau de particules chargées est pourvu d'un moyen de réglage de région pour le réglage, à l'aide d'une image à faible grossissement d'un échantillon capturé dans des conditions de faible vide, d'une région d'irradiation pour irradier l'échantillon avec un faisceau d'électrons et d'une région sans irradiation pour empêcher l'irradiation de l'échantillon avec le faisceau d'électrons. Le dispositif à faisceau de particules chargées est également pourvu d'un moyen d'acquisition d'image capturée pour irradier de manière sélective la région d'irradiation avec le faisceau d'électrons, l'intérieur d'une chambre d'échantillon étant dans un état de vide poussé, et pour acquérir une image MEB à vide élevé de la région d'irradiation sur la base d'électrons secondaires ou d'électrons de réflexion libérés à partir de la région d'irradiation. 荷電粒子線装置を用いて行われる試料の解析の信頼性を向上させる。荷電粒子線装置は、低真空下で撮影された試料の低倍像を用いることで、試料に対して電子線の照射を行うための照射領域、および、試料に対して電子線の照射を禁止するための照射禁止領域を設定する領域設定手段を備える。また、荷電粒子線装置は、試料室の内部が高真空にされた状態において、照射領域に対して選択的に電子線を照射し、照射領域から放出される二次電子または反射電子を基にして、照射領域の高真空ＳＥＭ像を取得する撮影像取得手段を備える。