PLASMA PROCESSING CHAMBER WITH MULTILAYER PROTECTIVE SURFACE

Plasma processing chamber is provided where the plasma processing chamber has a first component. A first plurality of multilayers is disposed over the first component, wherein each multilayer comprises a process layer and a conditioning layer adjacent to the process layer, wherein the process layer...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	YASSERI, Amir A, OUTKA, Duane
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ELECTRICITY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Plasma processing chamber is provided where the plasma processing chamber has a first component. A first plurality of multilayers is disposed over the first component, wherein each multilayer comprises a process layer and a conditioning layer adjacent to the process layer, wherein the process layer is more etch resistant to a processing plasma than the conditioning layer and wherein the conditioning layer is configured to be selectively etched with respect to the process layer; and wherein the process layer is configured to be selectively etched with respect to the conditioning layer. L'invention concerne une chambre de traitement au plasma, la chambre de traitement au plasma ayant un premier composant. Une première pluralité de multicouches est disposée sur le premier composant, chaque multicouche comprenant une couche de traitement et une couche de conditionnement adjacente à la couche de traitement, la couche de traitement étant plus résistante à la gravure à un plasma de traitement que la couche de conditionnement et la couche de conditionnement étant conçue pour être sélectivement gravée par rapport à la couche de traitement ; et la couche de traitement étant conçue pour être sélectivement gravée par rapport à la couche de conditionnement.