MINIMIZING REFLECTED POWER IN A TUNABLE EDGE SHEATH SYSTEM

A method for controlling reflected power in a plasma processing system is provided, including: applying RF power from a first generator to an ESC; applying RE power from a second generator to an edge electrode that surrounds the ESC and is disposed below an edge ring that surrounds the ESC, the RF power from the second generator having a voltage set based on the amount of use of the edge ring, wherein the second generator automatically introduces a phase adjustment so that a phase of the RF power from the second generator substantially matches a phase of the RF power from the first generator; and, adjusting a variable capacitor of a match circuit through which the RF power from the second generator is applied to tune the phase adjustment to a target phase adjustment setting. L'invention concerne un procédé de commande de la puissance réfléchie dans un système de traitement au plasma, consistant à : appliquer une puissance RF d'un premier générateur à un ESC ; appliquer une puissance RE d'un second générateur à une électrode de bord qui entoure l'ESC et est disposée au-dessous d'une bague de bord qui entoure l'ESC, la puissance RF provenant du second générateur ayant une tension définie basée sur la quantité d'utilisation de la bague de bord, le second générateur introduisant automatiquement un ajustement de phase de sorte qu'une phase de la puissance RF provenant du second générateur corresponde sensiblement à une phase de la puissance RF provenant du premier générateur ; et régler un condensateur variable d'un circuit de correspondance à travers lequel la puissance RF provenant du second générateur est appliquée pour accorder le réglage de phase à un paramètre de réglage de phase cible.