NON-AQUEOUS ELECTROLYTE SECONDARY BATTERY AND METHOD FOR MANUFACTURING NON-AQUEOUS ELECTROLYTE SECONDARY BATTERY

This non-aqueous electrolyte secondary battery comprises: an electrode body in which positive electrodes and negative electrodes are alternately laminated via separators; and a non-aqueous electrolyte. The positive electrodes each have a core-body exposed part at which a positive electrode core body is exposed, and a base part in which a composite material layer is formed on at least one surface of the positive electrode core body. The base part has formed therein a first region in which an active material is embedded in the positive electrode core body and a second region in which the average embedment depth of active material embedded in the positive electrode core body is smaller than that in the first region. The second region is formed adjacent to the core-body exposed part. La présente invention concerne une batterie secondaire à électrolyte non aqueux comprenant : un corps d'électrode dans lequel des électrodes positives et des électrodes négatives sont stratifiées en alternance par l'intermédiaire de séparateurs ; et un électrolyte non aqueux. Les électrodes positives comprennent chacune une partie apparente de corps de noyau au niveau de laquelle un corps de noyau d'électrode positive est apparent, et une partie de base dans laquelle une couche de matériau composite est formée sur au moins une surface du corps de noyau d'électrode positive. La partie de base comprend une première région dans laquelle un matériau actif est intégré dans le corps de noyau d'électrode positive et une seconde région dans laquelle la profondeur d'intégration moyenne du matériau actif intégré dans le corps de noyau d'électrode positive est inférieure à celle de la première région. La seconde région est formée de manière adjacente à la partie apparente du corps de noyau. 正極と負極とがセパレータを介して交互に積層された電極体と、非水電解質と、を有し、正極は、正極芯体が露出する芯体露出部と、正極芯体の少なくとも一方の面に合材層が形成される基部と、を含む非水電解質二次電池であって、基部には、活物質が正極芯体に埋め込まれている第１領域と、活物質が正極芯体に埋め込まれている平均埋め込み深さが第１領域よりも小さい第２領域と、が形成され、第２領域は、芯体露出部と隣接して形成される。