SUB MODULE

A sub module is disclosed. A sub module according to an embodiment of the present invention comprises an explosion-proof frame unit. A case unit of the explosion-proof frame unit accommodates an IGBT. A conductive bus bar is coupled to the case unit so as to surround same. Therefore, the hardness of the case unit is reinforced and, even if the accommodated IGBT explodes, debris is not discharged to the outside. The case unit has a plurality of inner communication grooves and outer communication grooves. The inner communication grooves and the outer communication grooves are arranged to cross each other. A buffer space part is formed between the inner communication grooves and the outer communication grooves. Therefore, even if the IGBT explodes, debris is not arbitrarily discharged. La présente invention concerne un module secondaire. Le module secondaire selon un mode de réalisation de la présente invention comprend une unité de cadre antidéflagrante. Une unité de boîtier de l'unité de cadre antidéflagrante reçoit un transistor bipolaire à porte isolée (IGBT). Une barre omnibus conductrice est couplée à l'unité de boîtier de manière à entourer celle-ci. Par conséquent, la dureté de l'unité de boîtier est renforcée et, même si l'IGBT reçu explose, les débris ne sont pas rejetés à l'extérieur. L'unité de boîtier comprend une pluralité de rainures de communication internes et de rainures de communication externes. Les rainures de communication internes et les rainures de communication externes sont agencées pour se croiser. Une partie d'espace tampon est formée entre les rainures de communication internes et les rainures de communication externes. Par conséquent, même si l'IGBT explose, les débris ne sont pas rejetés arbitrairement. 서브 모듈이 개시된다. 본 발명의 실시 예에 따른 서브 모듈은 방폭 프레임부를 포함한다. 방폭 프레임부의 케이스 유닛은 IGBT를 수용한다. 케이스 유닛에는 통전 부스바가 감싸도록 결합된다. 이에 따라, 케이스 유닛의 강성이 보강될 뿐만 아니라, 수용된 IGBT가 폭발하는 경우에도 잔해물이 외부로 방출되지 않게 된다. 케이스 유닛에는 복수 개의 내부 연통 홈 및 외부 연통 홈이 형성된다. 내부 연통 홈과 외부 연통 홈은 서로 엇갈리도록 배치된다. 내부 연통 홈과 외부 연통 홈 사이에는 완충 공간부가 형성된다. 따라서, IGBT가 폭발하는 경우에도, 잔해물이 임의 배출되지 않게 된다.