VARYING CHANNEL WIDTH IN THREE-DIMENSIONAL MEMORY ARRAY

A memory array (100) including a varying width channel (110a) is disclosed. The array (100) includes a plurality of WLs (106), which are above a layer, where the layer can be, a Select Gate Source (SGS) (116) of the memory array (100), or an isolation layer (130a) to isolate a first deck (102a) of the array (100) from a second deck (102b) of the array (100). The channel (110a) extends through the plurality of word lines (106) and at least partially through the layer. The channel (110a) comprises a first region (113na, 113nb) and a second region (111wa, 111wb). The first region (113na, 113nb) of the channel (110a) has a first width (D2) that is at least 1 nm different from a second width (D1) of the second region (111wa, 111wb) of the channel (110a). The first region (113na, 113nb) extends through the plurality of word lines (106), and the second region (111wa, 111wb) extends through at least a part of the layer underneath the plurality of word lines (106). The first width (D2) is at least 1 nm less than a second width (D1) of the second region (111wa, 111wb) of the channel (110a). L'invention concerne un réseau de mémoire (100) comprenant un canal à largeur variable (110a). Le réseau (100) comprend une pluralité de WLs (106), qui sont au-dessus d'une couche, où la couche peut être, une source de grille de sélection (SGS) (116) du réseau de mémoire (100), ou une couche d'isolation (130a) pour isoler un premier pont (102a) du réseau (100) d'un second pont (102b) du réseau (100). Le canal (110a) s'étend à travers la pluralité de lignes de mots (106) et au moins partiellement à travers la couche. Le canal (110a) comprend une première région (113na, 113nb) et une seconde région (111wa, 111wb). La première région (113na, 113nb) du canal (110a) a une première largeur (D2) qui est d'au moins 1 nm différente d'une seconde largeur (D1) de la seconde région (111wa, 111wb) du canal (110a). La première région (113na, 113nb) s'étend à travers la pluralité de lignes de mots (106), et la seconde région (111wa, 111wb) s'étend à travers au moins une partie de la couche sous la pluralité de lignes de mots (106). La première largeur (D2) est d'au moins 1 nm inférieure à une seconde largeur (D1) de la seconde région (111wa, 111wb) du canal (110a).