THREE-DIMENSIONAL STACKING SEMICONDUCTOR ASSEMBLIES WITH NEAR ZERO BOND LINE THICKNESS

Semiconductor device package assemblies and associated methods are disclosed herein. In some embodiments, the semiconductor device package assembly includes (1) a base component having a front side and a back side opposite the first side, the base component having a first metallization structure at the front side, the first metallization structure being exposed in a contacting area at the front side; (2) a semiconductor device package having a first side and a second side, the semiconductor device package having a second metallization structure at the first side; and (3) a metal bump at least partially positioned in the recess and electrically coupled to the second metallization structure and the first metallization structure. L'invention concerne des ensembles boîtier de dispositif à semi-conducteur et des procédés associés. Dans certains modes de réalisation, l'ensemble boîtier de dispositif à semi-conducteur comprend (1) un composant de base ayant un côté avant et un côté arrière opposé au premier côté, le composant de base ayant une première structure de métallisation sur le côté avant, la première structure de métallisation étant exposée dans une zone de contact au niveau du côté avant ; (2) un boîtier de dispositif à semi-conducteur ayant un premier côté et un second côté, le boîtier de dispositif à semi-conducteur ayant une seconde structure de métallisation sur le premier côté ; et (3) une bosse métallique au moins partiellement positionnée dans l'évidement et couplée électriquement à la seconde structure de métallisation et à la première structure de métallisation.